Исследовано влияние разных режимов приложения постоянного электрического поля (0<E<5 kV/cm) на структурные фазовые преобразования и поведение фазовой границы в [001]-ориентированных монокристаллах PbIn1/2Nb1/2O3-37PbTiO3 (стартовый состав), лежащих вблизи морфотропной фазовой границы. Помимо диэлектрических методов исследования впервые использовались оптические методы. Обнаружено, что содержание PbTiO3 в исследуемых образцах меньше, чем в стартовом составе. Сделано предположение, что в изученных образцах стабильным состоянием при комнатной температуре в отсутствие электрического поля является состояние, соответствующее смеси ромбоэдрической R- и моноклинной Ma-фаз. Обнаружено, что число, симметрия и стабильность возникающих в поле фаз зависят от режима приложения поля. Построены E-T-фазовые диаграммы для разных режимов приложения поля. Показано, что в одном и том же кристалле фазовые диаграммы различны для разных способов приложения поля.
J. Kuwata, K. Uchino, S. Nomura. Ferroelectrics 37, 579 (1981)
S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997)
T.R. Shrout, Z.P. Change, N. Kim, S. Markgraff. Ferroelectrics Lett. 12, 67 (1990)
E.F. Alberta, A.S. Bhalla. J. Korean Phys. Soc. 32, S1265 (1998)
C.A. Randall, A.S. Bhalla. Jpn. J. Appl. Phys. 29, 327 (1990)
S. Wongsaenmai, A.S. Bhalla, R. Guo, S. Ananta, R. Yimnirum. Ferroelectrics Lett. 34, 36 (2007)
A.A. Bokov, M.A. Leshenko, M.A. Malitskaya, I.P. Raevskii. J. Phys.: Cond. Matter 11, 4899 (1999)
Y. Guo, H. Luo, T. He, X. Pan, Z. Yin. Mater. Bull. 38, 857 (2003)
S. Wongsaenmai, R. Yimnirum, S. Ananta, R. Guo, A.S. Bhalla. Mater. Lett. 62, 352 (2008)
S. Saitoh, T. Takeuchi, I. Kobayashi, K. Harado, S. Shimanuki, Y. Yamashita. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3380 (1999)
N. Yasuda, N. Mori, H. Ohwa, Y. Hosono, Y. Yamashita, M. Iwata, M. Maedo, I. Suzuki, Y. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 7007 (2002)
C. Augier, M. Pham Thi, H. Dammak, P. Gaucher. J. Eur. Ceram. Soc. 25, 2429 (2005)
N. Yasuda, H. Ohwa, M. Kume, Y. Yamashita. Jpn. J. Appl. Phys. 39, L66 (2000)
H. Cao, F. Bai, N. Wang, J. Li, D. Vieland. Phys. Rev. B 72, 064 104 (2005)
F. Bai, N. Wang, J. Li, D. Vieland. J. Appl. Phys. 96, 1620 (2004)