Издателям
Вышедшие номера
Микроструктура и кристаллическая структура нанокристаллических порошков и пленок PbS
Садовников С.И.1,2, Кожевникова Н.С.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: kozhevnikova@ihim.uran.ru
Поступила в редакцию: 5 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Рентгенодифракционным и электронно-микроскопическим методами изучены микроструктура и кристаллическая структура нанокристаллических порошков и наноструктурированных пленок сульфида свинца PbS. Установлено, что в синтезированных нанопорошках средний размер наночастиц PbS составляет от 20 до 8 nm, а средний размер наночастиц PbS в нанопленках меняется от 80 до 40 nm. Показано, что нанокристаллические порошки PbS имеют кубическую (пр. гр. Fm3m) структуру типа B1. Наноструктурированные пленки PbS, полученные осаждением на стеклянную подложку, обладают кубической (пр. гр. Fm3m) структурой типа D03 с размещением атомов S в позициях двух типов: 4( b) и 8( c). Работа поддержана проектом 12-П-234-2003 программы N 21 президиума РАН и проектом РФФИ N 11-08-00314a.
  • А.А. Ремпель. Успехи химии 76, 474 (2007)
  • А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Нанокристаллические материалы. 2-е изд. Физматлит, М. (2001). 224 с
  • A.I. Gusev, A.A. Rempel. Nanocrystalline materials. Cambridge Intern. Science Publ., Cambridge (2004). 351 p
  • А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. 3-е изд. Физматлит, М. (2009). 412 с
  • A.A. Rempel, N.S. Kozhevnikova, A.J.G. Leenaers, S. Van den Berghe. J. Cryst. Growth 280, 300 (2005)
  • A.A. Rempel, A. Magerl. Acta Cryst. A 66, 479 (2010)
  • А.А. Ремпель, А.А. Валеева, Н.С. Кожевникова. Письма в ЖЭТФ 92, 167 (2010)
  • Y. Baolong, Y. Guosheng, Z. Congshan, G. Fuxi. Opt. Mater. 11, 17 (1998)
  • Y.J. Yang, L.Y. He, Q.F. Zhang. Electrochem. Commun. 7, 361 (2005)
  • J.J. Peterson, T.D. Krauss. Nano Lett. 6, 510 (2006)
  • S.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf. Thin Solid Films 431-- 432, 506 (2003)
  • С.И. Садовников, А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Письма в ЖЭТФ 89, 279 (2009)
  • С.И. Садовников, А.А. Ремпель. Докл. АН 427, 451 (2009)
  • С.И. Садовников, А.А. Ремпель. ФТТ 51, 2237 (2009)
  • С.И. Садовников, Н.С. Кожевникова, А.А. Ремпель. ФТП 44, 1394 (2010)
  • Y. Gotoh, M. Onoda, M. Goto, Y. Oosawa. Chem. Lett. 18, 1281 (1989)
  • G.A. Wiegers, A. Meetsma, R J. Haange, S. van Smaalen, J.L. de Boer, A. Meerschaut, P. Rabu, J. Rouxel. Acta Cryst. B 46, 324 (1990)
  • J. Wullf, A. Meetsma, S. van Smaalen, R.J. Haange, J.L. de Boer, G.A. Wiegers. J. Solid State Chem. 84, 118 (1990)
  • G.A. Wiegers. Progr. Solid State Chem. 24, 1 (1996)
  • S.H. Tolbert, A.P. Alivisatos. Science 265, 373 (1994)
  • M. Haase, A.P. Alivisatos. J. Phys. Chem. 96, 6756 (1992)
  • S.B. Qadri, J. Yang, B.R. Ranta, E.F. Skelton, J.Z. Hu. Appl. Phys. Lett. 69, 2205 (1996)
  • K. Knorr, L. Ehm, M. Hytha, B. Winkler, W. Depmeier. Eur. Phys. J. В 31, 297 (2003)
  • Г.А. Китаев, Т.П. Больщикова, Г.М. Фофанов, Л.Е. Ятлова, Н.М. Горюхина. В кн.: Кинетика и механизм образования твердой фазы. Сб. 170. УПИ, Свердловск (1968). С. 113--126
  • В.П. Толстой. Успехи химии 62, 260 (1993)
  • Z. Gu, L. Zou, Z. Fang, W. Zhu, X. Zhong. Nanotechnology 19, 135 604 (2008)
  • K.-T. Yong, Y. Sahoo, M.T. Swihart, P.N. Prasad. J. Phys. Chem. C 111, 2447 (2007)
  • B.A. Kairdolf, A.M. Smith, S. Nie. J. Am. Chem. Soc. 130, 12 866 (2008)
  • R.W. Morton, D.E. Simon, J.J. Gislason, S. Taylor. Adv. X-ray Analysis 46, 80 (2003)
  • X'Pert Plus Version 1.0. Program for crystallography and Rietveld analysis Philips Analytical B. V. Koninklijke Philips Electronics N. V
  • W.H. Hall, G.K. Williamson. Proc. Phys. Soc. London B 64, 937 (1951)
  • В.В. Клечковская, В.Н. Маслов, М.Б. Мурадов, С.А. Семилетов. Кристаллография 34, 182 (1989)
  • Н.С. Белова, А.А. Урицкая, Г.А. Китаев. ЖПХ 75, 1598 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.