На основе кинетического уравнения для плотности дислокаций, сосредоточенных в критических длинах однополюсных дислокационных источников, теоретически рассмотрены размерные эффекты, связанные с поверхностью как эффективным стоком для движущихся дислокаций в тонкоразмерном кристалле и барьером для них при наличии на поверхности прочной пленки или специального упрочненного слоя, способствующих аккумуляции дислокаций в кристалле. Теоретические результаты иллюстрируются имеющимися в литературе экспериментальными данными для микро- и нанокристаллов Cu и Al. Найдено в соответствии с этими данными, что при свободной для выхода дислокаций поверхности кристалла зависимость его предела текучести sigma_2% от поперечного размера кристалла D имеет вид sigma_2%~ D^-0.75, а при наличии на боковой поверхности прочного слоя --- sigma_2%~ D^-0.5.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.