С использованием двухступенчатого метода спекания впервые приготовлена высокопрозрачная сегнетокерамика PbMg1/3Nb2/3O3-xPbZr0.53Ti0.47O3 (PMN-xPZT) без содержания La. Исследовались диэлектрические и электрооптические свойства керамики PMN-xPZT разного состава со значениями x, лежащими как вдали от морфотропной фазовой границы (x=10,16,23%), так и вблизи нее (x=33%). Показано, что в составах, лежащих ближе к морфотропной фазовой границе (x=23 и 33%), в отсутствие электрического поля наблюдается фазовый переход первого рода в макродоменную сегнетоэлектрическую фазу, в то время как составы, лежащие вдали от границы (x=10,16%), остаются в релаксорной кубической фазе вплоть до низких температур. Обнаружено, что в керамике с x=33% величина квадратичных электрооптических коэффициентов при высоких температурах (T>340 K) является наибольшей среди релаксорных систем, что расширяет температурный интервал применения этих твердых растворов в промышленных устройствах. Работа выполнена при поддержке Государственного фонда естественных наук Китая (грант N 61137004) и программы Международного сотрудничества Китайской академии наук (грант N GJHZ1042).
L.T. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
G. Xu, D. Vieland, J.F. Li, P.M. Gehring, G. Shirane. Phys. Rev. B 68, 212 410 (2003)
X. Wan, H. Xu, T. He, D. Lin, H. Luo. J. Appl. Phys. 93, 4766 (2003)
S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997)
Y. Lin, B. Ren, X. Zhao, D. Zhou, J. Chen, X. Li, H. Xu, D. Lin, H. Luo. J. Alloys Comp. 507, 425 (2010)
Y. Lu, B. Gaynor, C. Hsu, G. Jin, M. Cronin-Golomb, F.E.Wang, J. Zhao, S.Q. Wang, P. Yip, A.J. Drehman. Appl. Phys. Lett. 74, 3038 (1999)
Л.С. Камзина, W. Ruan, G. Li, J. Zeng, A. Ding. ФТТ 52, 10, 1999 (2010)
W. Ruan, G. Li, J. Zeng, J. Bian, L.S. Kamzina, H. Zeng, L. Zheng, A. Ding. J. Am. Ceram. Soc. 93, 8, 2128 (2010)
Л.С. Камзина, W. Ruan, J. Zeng, G. Li. ФТТ 53, 10, 1530 (2011)
W. Ruan, G. Li, J. Zeng, L.S. Kamzina, H. Zeng, K. Zhao, L. Zheng, A. Ding. J. Appl. Phys. 110, 074 109 (2011)
D. Vieland, J. Powers. J. Appl. Phys. 89, 1820 (2001)
M. Davis, D. Damjanovic, N. Setter. Phys. Rev. B, 73, 014 115 (2006)
S. Wongsaenmai, Y. Laosiritaworn, S. Ananta, R. Yimnirun. Mater. Sci. Eng. 128, 8388 (2006)
G. Singh, V.S. Tiwari, V.K. Wadhawan. Solid State Commun. 118, 407 (2001)
G. Singh, V.S. Tiwari. Solid State Commun. 150, 1778 (2010)
A.N. Tsotsorin, S.A. Gridnev, S.P. Rogova, A.G. Luchaniniv. Ferroelectrics 235, 171 (1999)
G. Singh, V.S. Tiwari. J. Appl. Phys. 101, 014 115 (2007)
V. Koval, C. Alemany, J. Briancin, H. Brunckova, K. Saksl. J. Eur. Ceram. Soc. 23, 1157 (2003)
B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane. Appl. Phys. Lett. 74, 2059 (1999)
H. Jiang, Y.K. Zou, Q. Chen, K.K. Li, R. Zhang, Y. Wang, H. Ming, Z. Zheng, Optoelectron. Devices Integration. Proc. SPIE 5644, 380 (2005)
H. Adach, T. Mitsuyu, O. Yamazaki, K. Wasa. J. Appl. Phys. 60, 736 (1986)