"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы
Бухаров В.Э.1, Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1
1Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS--PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов.
  • Korsunshaya N.E., Markevich I.V., Dzhumaev B.R. et al // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 1999. Vol. 2. N 1. P. 42--46
  • Заманов Э.Н., Джафаров М.А. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 8. С. 1411--1415
  • Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 351 с
  • Юнусов М.С., Абдурахманова С.Н., Зайцовская М.А. и др. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. Ташкент: Фан, 1989. 222 с
  • Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. 188 с
  • Роках А.Г., Стецюра С.В., Трофимова Н.Б. и др. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 5. С. 552--555
  • Роках А.Г. // ПЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 13. С. 820--823
  • Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // ПЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 3. С. 66--72
  • Бухаров В.Э., Роках А.Г. // ПЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 24. С. 55--60
  • Роках А.Г., Трофимова Н.Б. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 7. С. 140--142
  • Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 7. С. 2170--2176
  • Мак В.Т. // ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 3. С. 173--176
  • Степанов В.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 8. С. 67--72
  • Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
  • Вудбери Х.Х. // Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 178--208
  • Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов. Патент РФ. N 845685. 1993. Б.И. 1993. N 25
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.