Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора

Звездин А.К.¹, Мищенко А.С.¹, Хвальковский А.В.¹

¹Институт общей физики РАН, Москва, Россия Institute of General Physics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: khvalkov@ran.gpi.ru

Поступила в редакцию: 24 июня 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен F-F-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики F-F-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение F-F-перехода при различных условиях.

Prinz G.A. // Science. 1998. Vol. 282. P. 1660. I. Zutic. Cond-mat/0112368. 2001
Bainbich M.N. et al. // Phys. Rev. Lett. Vol. 61. P. 2472; Bransch G et al. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. P. 4829
Gujs M.A.M., Bauer G.E.W. // Advances in Phys. 1997. Vol. 46. P. 285; Добровицкий В.В., Звездин А.К. // УФН. 1996. Т. 166. N 4. С. 439--447
Звездин А.К., Уточкин С.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 57. Вып. 7. С. 433--438
Meservey R., Tedrow P.M. // Phys. Rep. 1994. Vol. 238. P. 173
Garcia N., Munoz M., Zhao Y.-W. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82, P. 2923--2926
Tatara G., Zhao Y.-W., Munoz M., Garcia N. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 83. P. 2030; Munoz M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 2946; Garcia N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, P. 4550--4552
Звездин А.К., Попков А.Ф. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71. С. 304--308; Imamura H., Kobayashi N., Takahashi S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 1003
Tagirov L.R., Vodopyanov B.P., Efetov K.B. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63. P. 104428; Савченко Л.Л., Звездин А.К., Попков А.Ф. и др. // ФТТ. 2000. Т. 43 (8). С. 1449--1454
Van Son P.C., Van Kempen H., Wyder P. // Phys. Rev. Lett. 1987. Vol. 58. P. 2271--2273
Tsoi M.V. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 4281
Aronov A.G. // JETP Lett. 1976. Vol. 24. P. 32
Johnson Mark, Silsbee R.H. // Phys. Rev. Lett. 1985. Vol. 55. P. 1790; Johnson Mark, Silsbee R.H. // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 35. P. 4959; Ji Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86. P. 5585
Datta S., Das B. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 665
Johnson Mark. // Science. 1993. Vol. 260. P. 320
Hwang H.Y., Cheong S.-W., Ong N.P. et al. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 2041--2044
Coey J.M.D. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87. P. 026601; Coey J.M.D. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 020407-1; Coey J.M.D. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 3815--3818
De Teresa J.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82. P. 4288--4291
Fert A., Campbell I.A. // J. de Physique. Colliques. 1971. Vol. 32. P. C1-46
Valet T., Fert A. // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. P. 7099
Uspenskii Yu.A., Kulatov E.T., Halilov S.V. // Sov. Phys. JETP. 1995. Vol. 80. P. 959-9
Zvezdin A.K., Kotov V.A. Modern Magnetooptics and Magnetooptical Materials. IOOP. 1987. 5.12
Rashba E.I. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. P. R16267--R16270
Vignale G., Flatte M. Cond-mat/020202. 2002
Wolf E.I. Principles of Electron Tunneling Spectroscopy. Oxford University Press. 1985. Вольф Е.Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии / Под ред. В.М. Свистунова. Киев: Наукова думка, 1990
Тинкхем С. Свехпроводимость. М.: Атомиздат, 1980. 2.82
Савельев И.В. Основы теоретической физики. Т. 2. М.: Наука, 1996
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984
Vlutters R., van't Erve O.M.J., Jansen R. et al. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 024416

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель