Кинетика решеток заряда в фоторефрактивных кристаллах
Гусак Н.А.1
1Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым направлениям развития техники, технологии и экономики Белорусского национального технического университета, Минск, Белоруссия
Email: rectorat@ipk.by
Поступила в редакцию: 25 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
Получены уравнения для концентраций заряда решетки и свободных носителей, порождаемых стоячей световой волной в анизотропном фоторефрактивном кристалле, и найдены их решения. Установлена зависимость величины заряда и электрического поля от ориентации решетки относительно кристаллографических осей среды. Показано, что кинетика решеток заряда определяется разностью двух экспонент с характерными временами, сумму которых можно трактовать как постоянную затухания решетки. Обнаружено существование трех областей значений времени максвелловской релаксации, отличающихся между собой характером поведения этой постоянной. Проанализирована кинетика решеток для некоторых кристаллов. PACS: 81.05.-t
- Кухтарев Н.В. // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 24. С. 1114--1118
- Buse K. // Appl. Phys. B. 1997. Vol. 74. P. 273--291
- Gusak N.A. // Proc. of SPIE. Optics of Crystals. 2001. Vol. 4358. P. 41--45
- Гусак Н.А., Петров Н.С. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 5. С. 131--133
- Valley G.C. // IEEE J. Quant. Elect. 1983. QE--19. N 11. P. 1637--1645
- Johansen P.M. // IEEE J. Quant. Elect. 1989. Vol. 25. P. 530--539
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук