"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии компрессионных плазменных потоков
Ананин С.И., Асташинский В.М., Емельяненко А.С., Костюкевич Е.А., Кузьмицкий А.М., Жвавый С.П., Анищик В.М., Углов В.В., Пунько А.В.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 28 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Приведены результаты численного моделирования процессов плавления и кристаллизации пластин из монокристаллического кремния при воздействии компрессионными плазменными потоками, генерируемыми квазистационарными плазменными ускорителями, с учетом кинетики фазовых превращений на основе уравнения Колмогорова. Обсуждаются временные и пространственные характеристики процессов плавления и кристаллизации для импульсов различной формы. На основе полученных данных и проведенных оценок сделан вывод о существенной роли термоэлектрической неустойчивости в формировании объемных периодических структур. PACS: 81.10.Aj, 52.77.-j
  • Углов В.В., Анищик В.М., Асташинский В.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2001. Т. 74. Вып. 4. С7 234--236
  • Асташинский В.М., Ананин С.И., Аскерко В.В. и др. // Вакуумная техника и технология. 2002. Т. 12. N 2. С. 91--94
  • Astashynski V.M., Ananin S,I., Askerko V.V. et al. // Compression Plasma Flows Action on Monocrystalline Silicon Surface. 29 EPS Conference on Plasma Physics and Control Fusion. 17-21 June 2002. Montreux, Switzerland. P2.027. P. 1--4
  • Morozov A.I. // Nuclear Fusion Special Suppl. 1969. P. 111--119
  • Ананин С.И., Асташинский В.М., Баканович Г.И. и др. // Физика плазмы. 1990. Т. 16. N 2. С. 186--196
  • Эйдельман Е.Д. // УФН. 1995. Т. 165. N 11. С. 1279--1294
  • Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. // ФТП. 1986. Т. 20. N 11. С. 1945--1969
  • v Cerny R., v Sav sik R., Lukev s I., Chab V. // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44, N 9. P. 4097--4102
  • Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография. Т. 3. М.: Наука, 1980. 408 с
  • Жвавый С.П. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 8. С. 58--62
  • Углов В.В., Анищик В.М., Асташинский В.В. и др. // Тр. XII междун. совещ. "Радиационная физика твердого тела". М. Изд-во НИИ ПМТ. 2002. С. 16--21
  • Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. 224 с
  • Беленький В.З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. М.: Наука, 1989. 88 с
  • Скрипов В.П., Коверда В.П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных жидкостей. М.: Наука, 1984. 232 с
  • Жвавый С.П. // ЖПС. 1989. Т. 50. N 4. С. 589--595
  • Регель А.Р., Глазов В.М. Физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1980. 296 с
  • Bell A.E. // RCA Review. 1979. Vol. 40. N 3. P. 295--338
  • Peter M.R. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38. N 4. P. 2727--2739
  • Эйдельман Е.Д. // ТВТ. 1994. Т. 32. С. 418--426
  • Полухин В.А., Аликина Е.В. // Известия Челябинского Научного Центра. Вып. 1. 2000. С. 11--16
  • Vizman D., Grabner O., Miller G. // Journal of Crystal Growth. 2001. Vol. 233. P. 687--698
  • Fujii H., Shirali A., Kohno K. et al. // Surface Tension of Liquid Silicon, Spacebound 2000, May 14-17, 2000, Vancouver, Canada
  • Langen M., Hibiya T., Eguchi M. et al. // Journal of Crystal Growth. 1998. Vol. 186. P. 550--556
  • Эйдельман Е.Д. // ФТПП. 1994. Т. 28. С. 1535--1543
  • Бирих Р.В., Рудаков Р.Н. // Механика жидкости и газа. 1996. N 5. С. 30--36
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.