Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2007, выпуск 3 » Статья стр. 49
<<<>>>
Термофотовольтаические преобразователи на основе соединений арсенида индия
Геворкян В.А., Арутюнян В.М., Гамбарян К.М., Аракелян А.О., Андреев И.А., Голубев Л.В., Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: igor@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
PDF версия
Исследованы термофотовольтаические (ТФВ) преобразователи на основе многокомпонентных твердых растворов соединений A3B5 и их гетероструктур InAs/InAsSbP (Eg=0.35-0.6 eV) для температурного диапазона эмиттеров излучения 1000-2000oC. Применение узкозонных гетроструктур позволяет продлить чувствительность элементов в длинноволновую область и эффективно использовать тепловую энергию низкотемпературных источников. Представлены новые физические и технические подходы к разработке эпитаксиальной технологии получения четверных твердых растворов InAsSbP на основе InAs с низкой концентрацией носителей и к созданию гетероструктур с резкими границами. Преимущество систем на основе четверных твердых растворов InAsSbP - возможность выращивания более совершенных изопериодных с подложками структур, отсутствие напряжений на границе раздела, лучшие электрические и фотоэлектрические свойства (низкие темновые токи, высокий внешний квантовый выход), возможность гибкого управления шириной запрещенной зоны путем изменения состава твердого раствора. Показано, что пленки InAsPSb, полученные на подложке InAs методом жидкостной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава и методом электрожидкостной эпитаксии с подпиткой ростового раствора-расплава компонентами выращиваемого слоя, имеют однородный состав и высокое совершенство кристаллической структуры. ТФВ диодные гетероструктуры n-InAs/p-InAsPSb, полученные по данным технологиям, имеют значения обратных токов насыщения, близкие к теоретическим. Диодные структуры имеют широкую область спектральной чувствительности, что делает их весьма перспективными для ТФВ-элементов. PACS: 81.05.Hd
  1. Wedlock B.D. // Proc. IEEE. 1963. Vol. 51. P. 694
  2. Coutts T.J., Wanlass M.W., Ward J.S., Jonson S. // Proc. of 25th IEEE Photovolt. Specialists Conf. Washington, USA. 1966. P. 25
  3. Cody G.D. // Termophotovoltaic Generation of Electricity: Fourth NREL Conf. 1999. P. 58
  4. Aroutiounian V., Petrosyan S., Khachatryan A., Touryan K. // J. of Appl. Phys. 2001. Vol. 89. P. 2268
  5. Luque A. et al. // 19th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. Paris, France. 7--11 Jule, 2004
  6. Wanlass M.V., Ward J.S., Emery K.A. et al. // Solar Energy Materials and Solar Cels. 1996. Vol. 41/42. P. 405
  7. Wojtczuk S. // Proc. of 31st Intersociety Energy Conversion Conf. (IECEC). Washington D.C, USA. 11--16 August, 1966. P. 974
  8. Sharps P.R., Timmons M.L., Venkat R. et al. // Proc. of AIP Conf. 1995. Vol. 321. P. 194
  9. Wang C.A., Choi H.K. and Charache G.W. // IEE Proc. of Optoelectron. 2000. Vol. 147. P. 193
  10. Гусейнов А.А., Джуртанов Б.Е., Литвак А.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. Вып. 12. С. 67--73
  11. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак А.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. Вып. 5. С. 33--39
  12. Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 2. С. 249--253
  13. Wang C.A., Choi H.K., Ransom S.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 1305
  14. Choi H.K., Eglash S.J. and Turner G.W. // J. of Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 2474
  15. Cody G.D. // Termophotovoltaic Generation of Electricity: Fourth NREL Conf. / Ed. by N.J. Coutts, J.P. Benner, and C.S. Allman. AIP Conf. Proc. 1999. Vol. 450. P. 58--67
  16. Gevorkyan V.A., Aroutiounian V.M., Gambaryan K.M. // World Renewable Energy Congress--VII. Cologne, Germany. 29 June--5 July, 2002
  17. Gevorkyan V.A., Aroutiounian V.M., Gambaryan K.M. et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 451--452. P. 124--127
  18. Gevorkyan V.A., Aroutiounian V.M., Gambaryan K.M. et al. // World Renewable Energy Congress--VIII. Denver, Colorado, USA. August 28--September 3, 2004
  19. Mauk M.G., Shellenbarger Z.A., Cox J.A. et al. // J. of Crystal Growth. 2000. Vol. 211. P. 189--193
  20. Gevorkyan V.A. // J. of Crystal Growth. 2003. Vol. 249. P. 149--158
  21. Yongzhen W., Changchun J., Guijin L. // J. of Crystal Growth. 1998. Vol. 187. P. 194--196
  22. Wilson M.R., Krier A. and Mao Y. // J. of Electronic Materials. 1996. Vol. 25. N 9

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme