"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства PHEMT-структур
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А., Имамов Р.М., Субботин И.А., Пашаев Э.М.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Изучено влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в псевдоморфных структурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с односторонним слоем, delta-легированным кремнием. Для исследования выбраны структуры, оптимизированные с точки зрения отсутствия параллельной проводимости по легированному слою. Установлено, что в таких структурах с увеличением температуры роста спейсерного слоя от 590 до 610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69 при 77. С помощью фотолюминесцентных и рентгенодифракционных измерений показано, что это связано с усовершенствованием кристаллической структуры спейсерного слоя AlGaAs и уменьшением степени размытия гетерограницы AlGaAs/InGaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61.Ey, 61.10.Nz
  • Chou Y., Li G.P., Chen Y.C. et al. // IEEE Electr. Dev. Let. 1996. Vol. 17. P. 479
  • Habbad Y., Deveaud D., Buhlmain H.-J., Ilegems M. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 2509
  • Wu C.S., Ren F., Pearton S.J. et al. // IEEE Trans. Electr. Dev. 1995. Vol. 42. P. 1419
  • Gaquiere C., Grunerutt J., Jambon D. et al. // IEEE Trans. Electr. Dev. 2005. Vol. 26. P. 533
  • Yang M.T., Chan Y.J., Chen C.H. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 2494
  • Yu P.W., Jogai B., Rogers T.J. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 7535
  • Cao X., Zeng Y., Kong M. et al. // Solid State Electronics. Vol. 45. P. 751
  • Cao X., Zheng Y., Kong M. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 231. P. 520
  • Cao X., Zheng Y., Cui L. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 227--228. P. 127
  • Look D.C., Jogai B., Stutz C.E. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 328
  • Chan K.T., Lightner M.J., Patterson G.A., Yu K.M. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 2022
  • Toyoshima H., Niwa T., Yamazaki J., Okamoto A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. P. 3908
  • Chao K.J., Liu N., Shin C.K. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 1703
  • Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г. // МЭ. 2006. Т. 35 (2). С. 67
  • Leuthery A., Forstery A., Lethy H. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 11. P. 766
  • Deng X., Liu W., Lin M.E., Zhang J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. Vol. 19. P. 1558
  • Афанасьев А.М., Имамов Р.М. // Кристаллография. 2003. Т. 48 (5). С. 786
  • Chen T.N., Huang Y.S., Shou T.S. et al. // Physica E. B. 2000. P. 297
  • Unuma T., Takahashi T., Noda T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 75. P. 1703
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.