Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения (~100 meV) с использованием синхротронного излучения изучены начальные стадии формирования силицидов железа в тройной системе Fe/SiOx/Si(100) в режиме твердофазной эпитакции. Измерены и проанализированы спектры остовных электронов, а также электронов валентной зоны, полученные после ряда изохронных отжигов образцов до температуры 750oC. Установлено, что твердофазная реакция между атомами Fe и Si протекает в области межфазовой границы SiOx/Si, куда атомы металла проникают в процессе их нанесения на поверхность образца при комнатной температуре. Начало силицидообразования обнаружено при температуре 60oC. Показано, что процесс твердофазного синтеза протекает в две стадии, связанные с формированием метастабильной интерфейсной фазы FeSi со структурой типа CsCl и стабильной фазы beta-FeSi2. В процессе отжига происходит также перестройка окисного слоя кремния, проявляющаяся главным образом в усилении окисной фазы Si+4 и ослабления фазы Si+2. PACS: 79.60.Dp
Alvarez J., Hinarejos J.J., Michel E.G. et al. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. N 24. P. 14 042
Le Thanh V., Chevrier J., Derrien J. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. N 24. P. 15 946
Von Kanel H., Onda N., Sirringhaus H. et al. // Appl. Surf. Sci. 1993. Vol. 70/71. P. 559
Sirotti F., DeSantis M., Jin X. et al. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. N 16. P. 11 134
Pirri C., Tuilier M.H., Wetzel P. et al. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. N 4. P. 2302
Klasges R., Carbone C., Eberhardt W. et al. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 56. N 17. P. 10 801
Chrost J., Hinarejos J.J., Segovia P. et al. // Surf. Sci. 1997. Vol. 371. P. 297
Bertoncini P., Wetzel P., Berling D. et al. // J. of Magn. and Magn. Mat. 2001. Vol. 237. P. 191
Hajjar S., Garreau G., Pelletier S. et al. // Surf. Sci. 2003. Vol. 532--535. P. 940
Dezsi I., Fetzer Cs., Szucs I. et al. // Surf. Sci. 2005. Vol. 599. P. 122
Гомоюнова М.В., Малыгин Д.Е., Пронин И.И. // ФТТ. 2006. Т. 48. С. 1898
Prabhakaran K., Shafi K.V.P.M., Ulman A. et al. // Surf. Sci. 2002. Vol. 506. P. L250
Prabhakaran K., Watanabe Y., Nath K.G. et al. // Surf. Sci. 2003. Vol. 545. P. 191
Saito T., Yamamoto H., Sasase M. et al. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 415. P. 138
Garnier M.G., de Los Arcos T., Boudaden J. et al. // Surf. Sci. 2003. Vol. 536. P. 130
Orlowski B.A., Kowalski B.J., Fronc K. et al. // J. Alloys and Compounds. 2004. Vol. 362. P. 202
Ruhrnschopf K., Borgmann D., Wedler G. // Surf. Sci. 1997. Vol. 374. P. 269
Tung R.T. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. N 24. P. 3461
Tung R.T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 36. N 3B. P. 1650
Hayashi Y., Yoshinaga M., Ikeda H. et al. // Surf. Sci. 1999. Vol. 438. P. 116
Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Malygin D.E. et al. // Surf. Sci. 2006. Vol. 600. P. 2449
Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Галль Н.Р. и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 20. С. 17
Гомоюнова М.В., Малыгин Д.Е., Пронин И.И. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 9. С. 136
Гомоюнова М.В., Пронин И.И. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 10. С. 1
Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochim. Soc. 1986. Vol. 133. N 4. P. 666
Shirley D.A. // Phys. Rev. B. 1972. Vol. 5. N 12. P. 4709
Pi T.-W., Ouyang C.-P., Wen J.-F. et al. // Surf. Sci. 2002. Vol. 514. P. 327
Koh H., Kim J.W., Choi W.H. et al. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. N 7. P. 073 306 (4)
Yeom H.W., Uhrberg R. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. N 7B. P. 4460
Morgen P., Jensen T., Gundlach C. et al. // Comp. Mat. Sci. 2001. Vol. 21. P. 481
Hoshino Y., Tishimura T., Nakada T. et al. // Surf. Sci. 2001. Vol. 488. P. 249
Pi T.-W., Wen J.-F., Ouyang C.-P. et al. // Surf. Sci. 2001. Vol. 478. P. L333
Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Gall N.R. et al. // Surf. Sci. 2005. Vol. 578. P. 174
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук