Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd_1-xMn_xTe

Ильчук Г.А., Петрусь Р.Ю., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: yuryrud@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd_1-xMn_xTe (x=0-0.7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd_1-xMn_xTe и сварных структур св/Cd_1-xMn_xTe при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd_1-xMn_xTe. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники. PACS: 71.55.Gs, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 78.20.-e

Furduna J.K. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. P. R29
Goede O., Heimbrodt W. // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. Vol. 146. P. 11
Agekyan V.F. // Phys. Solid State. 2002. Vol. 44. P. 2013
Park L.D., Yamamoto S., Watanaba J., Takamura W., Nakahara J. // J. Phys. Soc. Jpn. 1997. Vol. 66. P. 3289
Агекян В.Ф., Васильев Н.Н., Серов А.Ю., Философов Н.Г., Kazerewski G. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2074
Аверкиева Г.К., Бойко М.Е., Константинова Н.Н., Попова Т.Б., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. // ФТТ. 1992. Т. 34. С. 2284
Матвеев О.А., Рудь Ю.В., Санин К.В. // ЖНМ. 1969. Т. 5. С. 1650
Матвеев О.А., Прокофьев С.В., Рудь Ю.В. // ЖНМ. 1969. Т. 5. С. 1175
Sze S.M. Physics of Semiconductors Devices. N.T.: Willey Interscience Publ., 1981. 880 p
Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
Ambrazevicius G., Babonas G., Rud'Y.V. // Phys. Stat. Sol. (b). 1984. Vol. 125. P. 759
Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель