"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния
Харламов В.С., Трушин Ю.В., Журкин Е.Е., Лубов М.Н., Пецольдт Й.1
1Center for Micro- and Nanotechnologies, Technical University Ilmenau,, Ilmenau, Germany
Email: kharlamo@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

В рамках исследования начальных стадий формирования слоя карбида кремния на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии проведено моделирование отдельных адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности Si методом молекулярной динамики. Рассчитаны и проанализированы поверхности потенциальной энергии для адатомов Si и C на (2x 1)-реконструированной поверхности Si(001) и на нереконструированной поверхности Si(111), а также на поверхности Si(111) с расположенным на ней кластером SiC. Получены значения барьеров миграции для адатомов на рассмотренных поверхностях. Исследовано влияние кластера SiC на деформацию приповерхностной области Si(111) и на миграцию адатомов. На поверхностях потенциальной энергии непосредственно над кластером и у его границ обнаружены глубокие минимумы, в которые могут захватываться диффундирующие адатомы. Исследованы и охарактеризованы распределения напряжений и деформаций в решетке кремния под кластером, находящимся на поверхности. PACS: 68.43.-h, 68.55.Ac, 02.70.Ns, 68.35.Gy
  • Eberl K., Iyer S.S., Zollner S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. P. 3033
  • Osten H.J., Rucker H., Liu J.P. et al. // Microelectronic Engineering. 2001. Vol. 56. P. 209
  • Galdin S., Dollfus P., Aubry-Fortuna V. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. 565
  • Brunner K., Eberl K., Winter W. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76. P. 303
  • Kim M., Osten H.J. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. P. 2702
  • Chakraborty T. Quantum dots: a survey of the propeties of artificial atoms. Amsterdam: Elsevier Science, 1999
  • Krestnikov I.L., Ledentsov N.N., Hoffmann A., Bimberg D. // Phys. Stat. Sol. A. 2001. Vol. 183. P. 207
  • Tsu R., Lofgren J.C. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 227--228. P. 21
  • Morkoc H., Strite S., Gao G.B. et al. // Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 1363
  • Casady J.B., Johnson R.W. // Solid State Electron. 1996. Vol. 39. P. 1409
  • Ruvimov S., Bugiel E., Osten H.J. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 2323
  • Claverie A., Faure J., Balladore J.L. et al. // J. Cryst. Growth. 1995. Vol. 157. P. 420
  • Osten H.J., Bugiel E., Zaumseil P. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 231
  • Fischer G.G., Zaumseil P., Bugiel E. at al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 1934
  • Simon L., Faure J., Kubler L. et al. // J. Cryst. Growth. 1997. Vol. 180. P. 185
  • Guedj C., Dashiell M.W., Kulik L. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 4631
  • Sun Y., Ayabe T., Miyasato T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. P. L1166
  • Yang J., Wang X., Zhai G. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 224. P. 83
  • Scharmann F., Maslarski P., Attenberger W. et al. // Thin Solid Films. 2000. Vol.380. P. 92
  • Cimalla V., Schmidt A.A., Stauden Th. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004. Vol. 22. P. L20
  • Bermudez V.M., Long J.P. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 475
  • Pezoldt J., Stauden Th., Cimalla V. et al. // Mater. Sci. Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 251
  • Craciun V., Lambers E., Bassim N. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2001. Vol. 19. P. 2691
  • Kim K.C., Park C.I., Roth J.I. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2001. Vol. 19. P. 2636
  • Zekentes K., Papaioannou V., Pecs B. // J. Cryst. Growt. 1995. Vol. 157. P. 392
  • Bjoerketun L.-O., Hultman L., Ivanov I.P. et al. // J. Cryst. Growth. 1997. Vol. 182. P. 379.
  • Marx D., Hutter J. Modern methods and algorithms of quantum chemistry / Ed. by J. Grotendorst. Juelich: John von Neumann Institute for Computing, 2000. NIC Series. Vol. 1. P. 301
  • Allen M.P., Tildesley D.J. Computer Simulation of Liquids. Oxford: Clarendon Press, 1987
  • Frenkel D., Smit B. Uderstanding molecular simulation. San Diego--London--Boston--N.Y.--Sydney--Tokyo--Toronto: Academic Press., 1996
  • Kotrla M. // Computer Phys. Comm. 1996. Vol. 97. P. 82
  • Levi A.C., Kotrla M. // J. Phys.: Condens. Matter. 1997. Vol. 9. P. 299
  • Batra I. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. P. 5048
  • Shkrebtii A.I., Di Felice R., Bertoni C.M., del Sole R. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. P. 11 201
  • Ramstad A., Brocks G., Kelly P.J. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. P. 14 504
  • Bechstedt F., Stekolnikov A.A., Furthmueller J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87. P. 016 103
  • Ke S.H., Uda T., Terakura K. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. P. 15 319
  • Nurminen L., Tavazza F., Landau D.P. et al. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. P. 035 405
  • Itoh M. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. 3537
  • Catellani A., Galli G., Gygi F. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 5090
  • Bermudez V.M. // Phys. Stat. Sol. B. 1997. Vol. 202. P. 447
  • Gutierrez R., Haugk M., Elsner J. et al. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. P. 1771
  • Luo X., Quian G., Fei W. et al. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. P. 9234
  • Brocks G., Kelly P.J., Car R. // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. P. 1729
  • Liu C.-L., Borucki L.J., Merchant T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 885
  • Cicero G., Catallani A. // Appl. Surf. Sci. 2001. Vol. 184. P. 113
  • Cicero G., Catellani A. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 2312
  • Cho K., Kaxiras E. // Europhys. Lett. 1997. Vol. 39. P. 287
  • Sonnet Ph., Stauffer L., Selloni A. et al. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. P. 6881
  • Smith A.P., Wiggs J.K., Jonsson H. et al. // J. Chem. Phys. 1995. Vol. 102(2). P. 1044
  • Roland C., Gilmer G.H. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. P. 13 428
  • Cai J., Wang L.-S. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 035402
  • Gogotsi Yu., Kamyshenko V., Shevchenko V. et al. // Functional gradient materials and surface layers prepared by fine particles technologies / Ed. by M.-I. Baraton and I. Uvarova. Dordrecht: Kluwer, 2001. P. 239
  • Mo Y.M., Kleiner J., Webb M.B., Lagally M.G. // Surf. Sci. 1992. Vol. 268. P. 275
  • Russo G., Sander L.M., Smereka P. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. P. 121 406
  • Ercolessi F. A molecular dynamics primer. 1997. Spring College in Computational Physics, ICTO, Trieste, June 1997
  • Stillinger F.H., Weber T.A. // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 31. P. 5262
  • Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38. P. 9902
  • Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. P. 6991
  • Cai J. // Phys. Stat. Sol. B. 1999. Vol. 212. P. 9
  • Balamane H., Halicioglu T., Tiller W.A. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. P. 2250
  • Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. P. 5566
  • Dyson A.J., Smith P.V. // Surf. Sci. 1996. Vol. 355. P. 140
  • Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Takahashi S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. Vol. 3. P. 1502
  • Kharlamov V.S., Zhurkin E.E., Hou M. // Nucl. Inst. and Meth. in Phys. Res. B. 2002. Vol. 193. P. 538
  • Zhuekin E.E., Kolesnikov A.S. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 2003. Vol. 202. P. 269
  • Zhurkin E.E., Hou M. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. Vol. 12. P. 6735
  • Beardmore K.M., Gronbech-Jeansen N. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. P. 12 610
  • Koster M., Urbassek H. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. P. 11 219
  • Liu C.L., Odette G.R., Wirth B.D., Lucas G.E. // Mater. Sci. Eng. A. 1997. Vol. 238. P. 202
  • Khrushcheva O., Zhurkin E.E., Malerba L. et al. // Nucl. Inst. and Meth. in Phys. Res. B. 2003. Vol. 202. P. 68
  • Teodosiu C. Elastic Models of Crystal Defects. Berlin--N.Y.: Springer, 1982
  • Trushin Yu. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions. N.Y.: Nova Science Publishers Inc, 1996
  • Kulikov D.V., Trushin Yu.V., Rybin P.V., Kharlamov V.S. // Tech. Phys. 1999. Vol. 44. P. 1168
  • Rybin P.V., Kulikov D.V., Trushin Yu.V. et al. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 2001. Vol. 178. P. 269
  • Trushin Yu.V., Safonov K.L., Ambacher O., Pezoldt J. // Tech. Phys. Lett. 2003. Vol. 29. P. 663
  • Pezoldt J., Cimalla V., Stauden Th. et al. // Diamond and Rel. Mater. 1997. Vol. 6. P. 1311
  • Flores M., Fuenzalida V., Haberle P. // Phys. Stat. Sol. A. 2005. Vol. 202. P. 1959.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.