Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрические свойства пористых оксидов алюминия и кремния с включениями триглицинсульфата и его модифицированных аналогов
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Email: golitsynaom@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
Исследованы температурные зависимости емкости и проводимости композиционных материалов, полученных путем внедрения сегнетоэлектрика ТГС и его аналогов - ТГС с примесями L,alpha-аланина и хрома в матрицы пористых Al2O3 и SiO2. Установлено, что процессы проводимости изученных структур связаны с переносом заряда преимущественно через внедренный в пористую матрицу сегнетоэлектрик. Предложен механизм смещения температуры фазового перехода сегнетоэлектрического включения в условиях "ограниченной геометрии", обусловленный различием коэффициентов теплового расширения пористой матрицы и внедренного сегнетоэлектрика.
- H.S. Min, J.K. Lee. Ferroelectrics 336, 231 (2006)
- K. Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R.B. Wehrspohn, U. Golsele. Nano Lett. 2, 7, 677 (2002)
- J.F. Scott, M. Dawber, A.Q. Jiang, F.D. Morrison. Ferrotlectrics 286, 223 (2003)
- O.M. Zhigalina, E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, K.A. Vorotilov, V.A. Vasiljev, A.S. Sigov, O.I. Lebedev, Yu.V. Grigoriev, M.P. De Santo, R. Barberi, Th. Rasing. Ferroelectrics 336, 247 (2006)
- D. Jadlovker, S. Berger. Ferroelectrics 336, 219 (2006)
- Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков. ФТТ 46, 335 (2004).
- О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, А.Е. Гриднев, В.В. Чернышев, И.Е. Занин. Изв. РАН. Сер. физ. 74, 9, 1347 (2010)
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Пер. с англ. Мир, М. (1981). 736 с
- О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева. ФТТ 51, 7, 1430 (2009)
- С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Е.В. Стукова, А.Ю. Милинский, Cheng Tien. ФТТ 52, 7, 1347 (2010)
- И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. Атомиздат, М. (1973). 472 с
- О.А. Караева, Л.Н. Коротков, А.А. Набережнов, E. Rysiakiewicz-Pasek. ФТТ 51, 7, 1304 (2009)
- А.В. Шильников, Л.А. Шувалов, В.А. Федорихин, А.П. Поздняков, А.В. Сопит. ФТТ 41, 6, 1073 (1999)
- А.Л. Пирозерский, Е.В. Чарная, Cheng Tien. ФТТ 49, 2, 327 (2007)
- М.С. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 216 с
- W.L. Zhong, Y.G. Wang, P.L. Zhang, B.D. Qu. Phys. Rev. B 50, 698 (1994)
- Zh. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M.T. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Yohnsson, P. Nanni. Phys. Rev. B 70, 024 107 (2004)
- E. Rysiakiewicz-Pasek, R. Poprawski, J. Polanska, A. Sieradzki, E.B. Radojewska. J. Non-cryst. Solids 351, 2703 (2005)
- С.В. Барышников, Е.В. Стукова, Е.В. Чарная, Cheng Tien, М.К. Lee, W. Bohlmann, D. Michel. ФТТ 48, 3, 551 (2006)
- В.Н. Нечаев, А.В. Висковатых. Изв. АН. Сер. физ. 74, 9, 1273 (2010)
- Л.М. Блинов, В.М. Фридкин, С.П. Палто, А.В. Буне, П.А. Даубен, С. Дюшарм. УФН 170, 3, 247 (2000)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости. Физматлит, М. (2003). 264 с
- В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин. ФТТ 31, 8, 77 (1989)
- Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965). 556 с
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
