К вопросу об измерении толщины слоев на вращающихся подложках в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Сотникова Г.Ю., Алексеев А.Н., Баранов Д.А., Шкурко А.П.1
1ЗАО "Научное и технологическое оборудование", Санкт-Петербург, Россия
Email: info@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Разработан простой и эффективный способ синхронной регистрации сигнала интерференции при измерении толщины слоя, наращиваемого на вращающейся подложке в установках молекулярно-лучевой эпитаксии. Выделение информационной составляющей сигнала из помех, обусловленных вращением (кондиционирование сигнала), приводит к повышению точности регистрации сигнала интерференции, поступающего в устройство вычисления толщины слоя и систему автоматического управления технологическим процессом, обеспечивая повышение качества и воспроизводимость выращиваемых структур. PACS: 07.05.Hd, 07.60.Ly, 81.70.Fy
- Ландсберг Г.С. Оптика. М.: Наука, 1976. 926 с
- Ду-Ноур О. Способ и устройство для измерения толщины фоторезистивной пленки, в частности, фоторезистивной пленки на полупроводниковой подложке, Пат. RU2001107968 от 20.05.2003
- Александров С.Е., Гаврилов Г.А. и др. Устройство для измерения толщины пленок на вращающихся подложках. Пат. N 73728 от 12.11.2007
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук