Патрин Г.С.
Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского государственного университета, Красноярск, Россия
14
Великанов Д.А.
Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского государственного университета, Красноярск, Россия
10
Белоненко М.Б.
Entropique Inc., London, Canada
8
Сигов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
8
Волков Н.В.
Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
8
Горев М.В.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
8
Огородников И.Н.
Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
7
Молокеев М.С.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
7
Денисов В.М.
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
7
Иртюго Л.А.
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
7
Денисова Л.Т.
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
7
Исаенко Л.И.
Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия
6
Новиков Д.В.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
6
Овчинников С.Г.
Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского государственного университета, Красноярск, Россия
5
Чарная Е.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Моргунов Р.Б.
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
5
Борманис К.
Институт физики твердого тела Латвийского университета, Рига, Латвия
5
Керимова Э.М.
Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
4
Каминский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шаренкова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Янюшкина Н.Н.
Волгоградский государственный университет, Волгоград, Россия
4
Крючков С.В.
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
4
Петраковский Г.А.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Воротынов А.М.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Семенцов Д.И.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
4
Красовский А.Н.
Санкт-Петербургский государственный университет кино и телевидения, Санкт-Петербург, Россия
4
Шевцова В.В.
НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
4
Баранов Н.В.
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Коплак О.В.
Киевский национальный университет, Киев, Украина
4
Воротилов К.А.
Московский государственный технический университет радиотехники электроники и автоматики, Москва, Россия
4
Дрождин С.Н.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Голицына О.М.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Tien C.
Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
4
Максимов В.И.
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Дубинин С.Ф.
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Пархоменко В.Д.
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Аплеснин С.С.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Браже Р.А.
Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
4
Юлдашев Ш.У.
Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul, Korea
4
Флёров И.Н.
Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
4
Чумилина Л.Г.
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
4
Волков М.П.
International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland
4
Набережнов А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Мустафаева С.Н.
Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Новикова Н.Н.
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Московская обл., Россия
3
Журков С.А.
Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Морозов А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
3
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук