Модификация приповерхностных слоев n-кремния ионами водорода в высоковольтном импульсном разряде пучкового типа
Демкин В.П.1, Мельничук С.В.1, Семухин Б.С.1
1Томский государственный университет Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
Поступила в редакцию: 4 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Проведено микролегирование приповерхностных слоев n-кремния ионами водорода в плазме пучкового типа. Изучены зависимости удельного сопротивления и тока проводимости от времени легирования водородом. Обнаружено наличие фотоэдс у модифицированного кремния. Дан качественный анализ полученных результатов.
- Анисимов, В.В., Демкин В.П., Квинт И.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 7. С. 35--42
- Голант В.Е., Жилинский А.П., Сахаров И.Е. Основы физики плазмы. 1977. 384 с
- Бохан П.А. // ЖТФ. 1981. Т. 51. С. 2032--2037
- Демкин В.П., Королев Б.В., Мельничук С.В. // Физика плазмы. 1995. Т. 38. N 1. С. 26--33
- Демкин В.П., Королев Б.В., Мельничук С.В. // Физика плазмы. 1995. Т. 21. N 1. С. 81--84
- Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. В. 9. С. 1095--1098
- Машин А.И., Хохлов А.Ф., Разуваев А.Г., Игнатов С.К., Щепалов А.А. // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. В. 10. С. 1253--1259
- Башелейшвили З.В., Пагава Т.А. // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. В. 8. С. 924--926
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
