"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Щели в спектре эпитаксиального графена, сформированного на политипах карбида кремния
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

В задаче в качестве подложек рассмотрены политипы NH карбида кремния с N=2, 4, 6, 8. Плотность состояний подложек описывается моделью Халдейна-Андерсона. Показано, что использование модели Халдейна-Андерсона всегда приводит к появлению в спектре графена двух щелей, примыкающих по энергии к валентной зоне и зоне проводимости субстрата. Ширина щелей диктуется отношением энергии взаимодействия атомов в свободном однослойном графене к взаимодействию атома графена с подложкой. Если это отношение крайне мало, щели в сумме могут перекрывать практически весь энергетический интервал запрещенной зоны подложки, если же, наоборот, чрезвычайно велико, то щели сжимаются до исчезающе малой ширины.
  • Castro Neto A.H., Guinea F., Peres N.M.P., Novoselov K.S., Geim A.K. // Rev. Mod. Phys. 2008. V. 81. N 1. P. 109--162
  • Cooper D.R., D'Anjou B., Ghattamaneni N., Harack B., Hilke M., Horth A., Majlis N., Massicotte M., Vandsburger L., Whiteway E.,Yu V. // arXiv: 1110.6557
  • Haas J., de Heer W.A., Conrad E.H. // J. Phys. C: Condens. Matter. 2008. V. 20. P. 323 202
  • de Heer W.A., Berger C., Wu X., Sprinkle M., Hu Y., Ruan M., Stroscio J.A., Eirst P.N., Haddon R., Piot B., Faugeras C., Potemski M., Moon J.-S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 374 007
  • Seyller Th., Botswick A., Emtsev K.V., Horn K., Ley L., McChestney J.L., Ohta T., Riley J.D., Rotenberg E., Speck F. // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. V. 245. N 7. P. 1436--1446. 6 Давыдов С.Ю. // ФТТ. 2013. Т. 47. В. 1. С. 97--106
  • Haldane F.D.M., Anderson P.W. // Phys. Rev. B. 1976. V. 13. N 6. P. 2553--2559
  • Persson C., Lindefelt U. // Materials Science Forum Vols. 1998. V. 264--268. P. 275--278
  • Goldberg Yu., Levinshtein M.T., Rumyantsev S.L. // Properties of Advance Semiconductor Materials GaN. AlN, BN, SiGe / Eds Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. Wiley, N.Y., 2001. P. 93--148
  • Давыдов С.Ю. // ФТТ. 2007. Т. 41. В. 6. С. 718--720
  • Mattausch A., Pankratov O. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 076 802
  • Jayasekera Th., Xu S., Kim K.W., Nardelli M.В. // Phys. Rev. B. 2011. V. 84. P. 035 442
  • Vitali L., Riedl C., Ohmann R., Brihuega I., Starke U., Kern K. // Surf. Sci. 2008. V. 602. P. L127--L130
  • Pankratov O., Hensel S., Bocksstedte M. // arXiv: 1009. 2185
  • Goler S., Coletti C., Pellegrini V., Emtsev K.V., Starke U., Beltram F., Heun S. // arXiv: 1111. 4918
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.