Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2013, выпуск 2 » Статья стр. 7
<<<>>>
Щели в спектре эпитаксиального графена, сформированного на политипах карбида кремния
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
PDF версия
В задаче в качестве подложек рассмотрены политипы NH карбида кремния с N=2, 4, 6, 8. Плотность состояний подложек описывается моделью Халдейна-Андерсона. Показано, что использование модели Халдейна-Андерсона всегда приводит к появлению в спектре графена двух щелей, примыкающих по энергии к валентной зоне и зоне проводимости субстрата. Ширина щелей диктуется отношением энергии взаимодействия атомов в свободном однослойном графене к взаимодействию атома графена с подложкой. Если это отношение крайне мало, щели в сумме могут перекрывать практически весь энергетический интервал запрещенной зоны подложки, если же, наоборот, чрезвычайно велико, то щели сжимаются до исчезающе малой ширины.
  1. Castro Neto A.H., Guinea F., Peres N.M.P., Novoselov K.S., Geim A.K. // Rev. Mod. Phys. 2008. V. 81. N 1. P. 109--162
  2. Cooper D.R., D'Anjou B., Ghattamaneni N., Harack B., Hilke M., Horth A., Majlis N., Massicotte M., Vandsburger L., Whiteway E.,Yu V. // arXiv: 1110.6557
  3. Haas J., de Heer W.A., Conrad E.H. // J. Phys. C: Condens. Matter. 2008. V. 20. P. 323 202
  4. de Heer W.A., Berger C., Wu X., Sprinkle M., Hu Y., Ruan M., Stroscio J.A., Eirst P.N., Haddon R., Piot B., Faugeras C., Potemski M., Moon J.-S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 374 007
  5. Seyller Th., Botswick A., Emtsev K.V., Horn K., Ley L., McChestney J.L., Ohta T., Riley J.D., Rotenberg E., Speck F. // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. V. 245. N 7. P. 1436--1446. 6 Давыдов С.Ю. // ФТТ. 2013. Т. 47. В. 1. С. 97--106
  6. Haldane F.D.M., Anderson P.W. // Phys. Rev. B. 1976. V. 13. N 6. P. 2553--2559
  7. Persson C., Lindefelt U. // Materials Science Forum Vols. 1998. V. 264--268. P. 275--278
  8. Goldberg Yu., Levinshtein M.T., Rumyantsev S.L. // Properties of Advance Semiconductor Materials GaN. AlN, BN, SiGe / Eds Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. Wiley, N.Y., 2001. P. 93--148
  9. Давыдов С.Ю. // ФТТ. 2007. Т. 41. В. 6. С. 718--720
  10. Mattausch A., Pankratov O. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 076 802
  11. Jayasekera Th., Xu S., Kim K.W., Nardelli M.В. // Phys. Rev. B. 2011. V. 84. P. 035 442
  12. Vitali L., Riedl C., Ohmann R., Brihuega I., Starke U., Kern K. // Surf. Sci. 2008. V. 602. P. L127--L130
  13. Pankratov O., Hensel S., Bocksstedte M. // arXiv: 1009. 2185
  14. Goler S., Coletti C., Pellegrini V., Emtsev K.V., Starke U., Beltram F., Heun S. // arXiv: 1111. 4918

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme