Вышедшие номера
Моделирование роста GaN нитевидных нанокристаллов на кремнии
Дубровский В.Г.1, Тимофеева М.А.1
1Санкт-Петербургский академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: timofeeva_m@list.ru
Поступила в редакцию: 11 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

Представлено развитие кинетической модели роста самоиндуцированных GaN нитевидных нанокристаллов (ННК) в вертикальном и латеральном направлениях. Построена модель, позволяющая описать эволюцию длины и радиуса ННК во времени. Проведено сопоставление результатов моделирования с экспериментальными данными по временным зависимостям длины и радиуса GaN ННК, выращенных на аморфных подслоях SixNy на подложках кремния, и показано их хорошее соответствие. Определены условия, при которых длина и радиус ННК являются степенными функциями времени, а длина ННК обладает скейлинговой суперлинейной зависимостью от радиуса.