"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Получение и исследование непрерывного твердого раствора (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y
Саидов А.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Холиков К.Т.1, Сапаров Д.1
1Физико-технический институт АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Email: Sh_usmonov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема свинцового раствора-расплава выращивались эпитаксиальные слои непрерывного твердого раствора (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0=< x=< 0.9 и 0=< y=< 0.92) p-типа проводимости на n-Si подложках. Определен профиль распределения атомов по глубине в твердом растворе (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности nSi--p(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y структур. PACS: 81.05.-t, 78.20.-e, 81.05.Hd
  • Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. // Materials chemistry and physics. 2001. V. 68. P. 1--6
  • Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
  • Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962
  • Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986. С. 127
  • Саидов М.С. // Гелиотехника. 1997. N 5--6. С. 57--67
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.