"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Улучшение параметров фотодиодных структур GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с тонкой активной областью для спектрального диапазона 1.0-2.5 mum
Астахова А.П.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Михайлова М.П.1, Сиповская М.А.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dap@iropt4.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследованы фотодиодные гетероструктуры с красной границей фоточувствительности 2.5 mum на основе GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с активной областью Ga0.76In0.24As0.22Sb0.78 различной толщины и отражающим излучение контактом на тыльной стороне структуры. Показано, что уменьшение толщины активной области и отражение излучения на тыльной стороне позволяют улучшить параметры фотодиодов и термофотовольтаических преобразователей в спектральном диапазоне 1.0-2.5 mum. Получена обнаружительная способность D*lambda=(3-6)· 1010 cm· Hz1/2/W и фотоэдс разомкнутой цепи Voc=0.2 V. PACS: 85.60.DW
  • Analytical Chemistry. 1956. V. 28. N 8. P. 219--237
  • Стоянов Н.Д., Михайлова М.П., Андрейчук О.В., Моисеев К.Д., Андреев И.А., Афраилов М.А., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 4. С. 467--473
  • Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 3. С. 249--253
  • Mank M.G., Andreev V.M. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. P. S191--S201
  • Астахова А.П., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Михайлова М.П., Сиповская М.А., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 1. С. 23--29
  • Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 6. С. 745--752
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.