Издателям
Вышедшие номера
Краевые дислокации несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x~ 1): роль промежуточного буферного слоя GeySi1-y (y<x) в их образовании
Болховитянов Ю.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников РАН, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Изучена дисклокационная структура пленок GexSi1-x (x~0.4-0.8) на подложках Si(001), отклоненных на 6o к ближайшей плоскости (111). Использование отклоненных от точной ориентации (001) подложек Si для эпитаксии пленок GeSi позволило установить основной (для структур данного состава) механизм образования краевых дислокаций несоответствия (ДН), наиболее эффективно снимающих напряжения, обусловленные несоответствием параметров решетки пленки и подложки. Несмотря на определение краевых дислокаций как "сидячих", их формирование происходит по механизму скольжения, предложенному ранее Kvam с соавторами. Проведена сравнительная оценка скоростей распространения первичной и наведенной 60o ДН, а также результирующей 90o ДН. Показано, что условием наиболее эффективного образования краевых ДН по механизму наведенного зарождения является наличие в напряженной пленке 60o ДН сразу же после достижения ею критической толщины. Предварительно выращенный буферный слой GeSi, находящийся на начальной стадии пластической релаксации, может явиться источником таких дислокаций.
  • D.C. Houghton, D.D. Perovic, J.-M. Baribeau, G.G. Weatherty. J. Appl. Phys. 67, 1850 (1990)
  • K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989)
  • E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 92, 131 901 (2008)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 50, 1783 (2008)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 52, 32 (2010)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 91, 4710 (2002)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, Л.В. Соколов. ФТП 41, 1251 (2007)
  • R. Hull, J.C. Bean, D.J. Werder, R.E. Leibenguth. Phys. Rev. B 40, 1681 (1989)
  • B.W. Dodson, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett. 31, 1325 (1987)
  • L.B. Freund, R. Hull. J. Appl. Phys. 71, 2054 (1992)
  • R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)
  • A. Fisher. Appl. Phys. Lett. 64, 1218 (1994)
  • J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations. 2nd ed Wiley. N.Y. (1982). P. 231
  • L.B. Freund. MRS Bull. 17, 52 (1992)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  • S.V. Kamat, J.P. Hirth. J. Appl. Phys. 67, 6844 (1990)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП 42, 3 (2008)
  • J. Cai, P.M. Mooney, S.H. Christiansen, H. Chen, O. Chu, J.A. Ott. J. Appl. Phys. 95, 5347 (2004)
  • M. Bauer, K. Lyutovich, M. Oehme, E. Kasper, H.-J. Herzong, F. Ernst. Thin Solid Films 369, 152 (2000)
  • J. Nakatsuru, H. Date, S. Mashiro, M. Ikemoto. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 891, EE07-24.1 (2006)
  • T.H. Loh, H.S. Nguyen, C.H. Tung, A.D. Trigg, G.Q. Lo, N. Balasubramanian, D.L. Kwong, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett. 90, 092 108 (2007)
  • Z. Zhou, C. Li, H. Lai, S. Chen, J. Yu. J. Cryst. Growth 310, 2508 (2008)
  • M. Myronov, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth 301-- 302, 315 (2007)
  • W. Hu, B. Cheng, C. Xue, H. Xue, S. Su, A. Bai, L. Luo, Y. Yu, Q. Wang. Appl. Phys. Lett. 95, 092 102 (2009)
  • Cheng Buwen, Xue Chunlai, Luo Liping, Han Genquan, Zeng Yugang, Xue Haiyun, Wang Qiming. J. Mater. Sci. Eng. (in Chinese), 27, 118, (2009)
  • T.H. Yang, G.L. Luo, E.Y. Chang, Y.C. Hsieh, C.Y. Chang. J. Vac. Sci. Technol. B 22, L17 (2004)
  • S. Dey, S. Joshi, D. Garcia-Gutierrez, M. Chaumont, A. Campion, M. Jose-Yacaman, S.K. Banerjee. J. Electron. Mater. 35, 1607 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.