Издателям
Вышедшие номера
Особенности и механизмы фотолюминесценции наноструктурированных пленок карбида кремния, выращиваемых на кремнии в вакууме
Орлов Л.К.1, Штейнман Э.А.2, Ивина Н.Л.3, Вдовин В.И.4
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Волго-Вятская государственная академия госслужбы, Нижний Новгород, Россия
4Междисциплинарный региональный центр "Нанотехнологии" Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 19 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Обсуждаются светоизлучающие свойства пленок кубического карбида кремния, полученных методом вакуумной газофазной эпитаксии на подложках кремния (100) и (111) в условиях пониженных ростовых температур (Tgr~900-700oC). Структурные исследования показывают нанокристаллическую структуру и одновременно однородность фазового состава выращенных пленок 3C-SiC. Спектры фотолюминесценции данных структур при возбуждении электронной подсистемы гелий-кадмиевым лазером (lambdaexit=325 nm) характеризовались достаточно интенсивной полосой излучения с максимумом, сдвинутым в ультрафиолетовую (~3 eV) область спектрального диапазона. Обнаружено, что интегральная кривая фотолюминесценции при низких температурах измерения расщепляется на совокупность лоренцевых компонент. Обсуждается их взаимосвязь с особенностями кристаллической структуры выращиваемых слоев карбида кремния. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 08-02-00893, 08-02-00065 и 08-02-97017p-"поволжье".
  • W.J. Choyke, R.P. Devaty, L.L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, Ch. Hassler. Appl. Phys. Lett. 65, 1668 (1994)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, С.Ю. Давыдов, А.Е. Черенков, А.Н. Кузнецов, А.С. Трегубова, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, А.В. Садохин, С. Ионеда, Ш. Нишино. ФТП 40, 1432 (2006)
  • Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, Н.А. Алябина, Н.Л. Ивина, В.И. Вдовин, И.Н. Дмитрук. ФТТ 51, 446 (2009)
  • А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев. ФТП 31, 420 (1997)
  • В.Ф. Агекян, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, Ю.А. Степанов. ФТП 31, 251 (1997)
  • J.N. Wang, Z.M. Chen, P.W. Woo, W.K. Ge, Y.Q. Wang, M.B. Yu. Appl. Phys. Lett. 74, 923 (1999)
  • J.Y. Fan, X.L. Wu, P.K. Chu. Prog. Mater. Sci. 51, 983 (2006)
  • J. Zhu, Z. Liu, X.L. Wu, L.L. Xu, W.S. Zhang, P.K. Chu. Nanotechnology 18, 365 603 (2007)
  • L. Zhang, W. Yang, H. Jin, Z. Zheng, Z. Xie, H. Miao, L. An. Appl. Phys. Lett. 89, 143 101 (2006)
  • Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Вдовин, Ю.И. Тарасова, Т.Н. Смыслова. ФТТ 51, 1018 (2009)
  • Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Ю.И. Тарасова, Т.Н. Смыслова, Н.А. Алябина, Е.А. Питиримова, В.И. Вдовин. Изв. РАН Сер. физ. 73, 1034 (2009)
  • P. Zanola, E. Bontempi, C. Ricciardi, G. Barucca, L.E. Depero. Mater. Sci. Eng. B 114-- 115, 279 (2004)
  • A. Severino, C. Bongiorno, N. Piluso, M. Italia, M. Camarda, M. Mauceri, G. Condorelli, M.A. Di Stefano, B. Cafra, A. La Magna, F. La Via. Thin Solid Films 518, S 165 (2010)
  • H. Nakazawa, M. Suemitsu. Appl. Phys. Lett. 79, 755 (2001)
  • Yu. Narita, T. Inubushi, M. Harashima, K. Yasui, T. Akahane. Appl. Surf. Sci. 216, 575 (2003)
  • Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, О.А. Подъячева, В.И. Вдовин. ЖСХ 51, S 148 (2010)
  • Л.К. Орлов, Э.А. Штейнман, В.И. Вдовин. Изв. РАН. Сер. физ. 75, 738 (2011)
  • T.L. Rittenhouse, P.W. Bohn, T.K. Hossain, I. Adesida, J. Lindesay, A. Marcus. J. Appl. Phys. 95, 490 (2004)
  • Е.С. Демидов, Н.Е. Демидова, В.В. Карзанов, К.А. Марков, В.В. Сдобняков. ФТТ 51, 1894 (2009)
  • Б.Г. Сухов, Г.П. Александрова, Л.А. Грищенко, Л.П. Феоктистова, А.Н. Сапожников, О.А. Пройдакова, А.В. Тьяков, С.А. Медведева, Б.А. Трофимов. ЖСХ 48, 979 (2007)
  • L.A. Hemstreet, C.Y. Fong. Phys. Rev. B 6, 1464 (1972)
  • G.L. Zhao, D. Bagayoko. New J. Phys. 2, 16 (2000)
  • В.В. Соболев, А.Н. Шестаков. ФТП 34, 447 (2000)
  • А.А. Лебедев. ФТП 33, 129 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.