Впервые показано, что в обратносмещенном контакте сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) с пассивированной водородом поверхностью n-Si может реализовываться транзисторный режим работы. Его возникновение связано с выявленной возможностью накопления неосновных носителей (дырок) у таким образом приготовленной поверхности Si. Обнаружено, что освещение СТМ-контакта позволяет управлять инжекцией электронов в зону проводимости посредством изменения концентрации дырок у поверхности аналогично тому, как это делается в планарном Оже-транзисторе с туннельным металл--окисел--полупроводник (МОП) эмиттером. При большом смещении на туннельном зазоре имеет место инжекция горячих электронов, которые вызывают Оже-ионизацию в Si, приводящую к бистабильности СТМ-контакта и связанному с ней гистерезису. Состояние с высокой плотностью тока при этом поддерживается за счет внутреннего источника дырок --- Оже-процесса. Полученные результаты показывают, что СТМ-контакт с полупроводниковой поверхностью может рассматриваться как точечная модель туннельной МОП-структуры.
Kaiser W.J., Bell L.D. J. Vac. Sci. Technol. A6, \it 2, 519 (1988)
Берковиц В.Л., Иванцов Л.Ф., Макаренко И.В., Львова Т.В., Сафаров В.И. ФТП 25, 3, 379 (1991)
Silver R.M., Dagata J.A., Tseng W. J. Appl. Phys. 76, \it 9, 5122 (1994)
Gwo S., Smith A.R., Shih S.K., Sadra K., Streetman B.G. Appl. Phys. Lett. 61, \it 9, 1104 (1992)
Weimer M., Kramar J., Baldeschwieler J.D. Phys. Rev. B39, \it 8, 5572 (1989)
Bolotov L.N., Makarenko I.V., Shulekin A.F., Titkov A.N. Surf. Sci. 331--333, 468 (1995)
Грехов И.В., Остроумова Е.В., Рогачев А.А., Шулекин А.Ф. Письма в ЖТФ 17, \it 13, 44 (1991)
Болотов Л.Н., Козлов В.А., Макаренко И.В., Титков А.Н. ФТП 27, \it 8, 1375 (1993)
Ishizaka A., Shiraki Y. J. Electrochem. Soc. 133, \it 4, 666 (1986)
Bolotov L.N., Makarenko I.V., Titkov A.N., Shulekin A.F. Abstracts of the 22nd Int. Conference on the Physics of Semiconductors. Vancouver. Canada (1994). V. 1. 463 c
Lai S.K., Dressendorfer P.V., Ma T.P., Barker R.C. Appl. Phys. Lett. 38, \it 1, 41 (1981)
Grekhov I.V., Shulekin A.F., Vexler M.I., Ext. Abstracts of the Int. Conf. on Solid State Devices \& Materials (SSDM-94). Yokohama. Japan. (1994). 535 c
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. (1984). Т. 1. С. 187
Yoshimoto T., Suzuki K. Jpn. J. Appl. Phys. 32, \it 2, L180 (1993)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук