Издателям
Вышедшие номера
СТМ-контакт с пассивированной водородом поверхностью кремния N-типа как точечный Оже-транзистор с туннельным МОП-эмиттером
Болотов Л.Н.1, Макаренко И.В.1, Титков А.Н.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Впервые показано, что в обратносмещенном контакте сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) с пассивированной водородом поверхностью n-Si может реализовываться транзисторный режим работы. Его возникновение связано с выявленной возможностью накопления неосновных носителей (дырок) у таким образом приготовленной поверхности Si. Обнаружено, что освещение СТМ-контакта позволяет управлять инжекцией электронов в зону проводимости посредством изменения концентрации дырок у поверхности аналогично тому, как это делается в планарном Оже-транзисторе с туннельным металл--окисел--полупроводник (МОП) эмиттером. При большом смещении на туннельном зазоре имеет место инжекция горячих электронов, которые вызывают Оже-ионизацию в Si, приводящую к бистабильности СТМ-контакта и связанному с ней гистерезису. Состояние с высокой плотностью тока при этом поддерживается за счет внутреннего источника дырок --- Оже-процесса. Полученные результаты показывают, что СТМ-контакт с полупроводниковой поверхностью может рассматриваться как точечная модель туннельной МОП-структуры.
  • Kaiser W.J., Bell L.D. J. Vac. Sci. Technol. A6, \it 2, 519 (1988)
  • Берковиц В.Л., Иванцов Л.Ф., Макаренко И.В., Львова Т.В., Сафаров В.И. ФТП 25, 3, 379 (1991)
  • Silver R.M., Dagata J.A., Tseng W. J. Appl. Phys. 76, \it 9, 5122 (1994)
  • Gwo S., Smith A.R., Shih S.K., Sadra K., Streetman B.G. Appl. Phys. Lett. 61, \it 9, 1104 (1992)
  • Weimer M., Kramar J., Baldeschwieler J.D. Phys. Rev. B39, \it 8, 5572 (1989)
  • Bolotov L.N., Makarenko I.V., Shulekin A.F., Titkov A.N. Surf. Sci. 331--333, 468 (1995)
  • Грехов И.В., Остроумова Е.В., Рогачев А.А., Шулекин А.Ф. Письма в ЖТФ 17, \it 13, 44 (1991)
  • Болотов Л.Н., Козлов В.А., Макаренко И.В., Титков А.Н. ФТП 27, \it 8, 1375 (1993)
  • Ishizaka A., Shiraki Y. J. Electrochem. Soc. 133, \it 4, 666 (1986)
  • Bolotov L.N., Makarenko I.V., Titkov A.N., Shulekin A.F. Abstracts of the 22nd Int. Conference on the Physics of Semiconductors. Vancouver. Canada (1994). V. 1. 463 c
  • Lai S.K., Dressendorfer P.V., Ma T.P., Barker R.C. Appl. Phys. Lett. 38, \it 1, 41 (1981)
  • Grekhov I.V., Shulekin A.F., Vexler M.I., Ext. Abstracts of the Int. Conf. on Solid State Devices \& Materials (SSDM-94). Yokohama. Japan. (1994). 535 c
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. (1984). Т. 1. С. 187
  • Yoshimoto T., Suzuki K. Jpn. J. Appl. Phys. 32, \it 2, L180 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.