Методами ДМЭ, ЭОС, СХПЭЭ и КРП исследованы структура и электронные свойства тонких (порядка монослойных) пленок BaO на W(100). В области субмонослойных покрытий при температурах 300--500 K в пленке реализуются согласованные с подложкой структуры с концентрациями 3.3· 1014 и 5.0· 1014 cm-2. Плотноупакованный монослой с согласованной, близкой к гексагональной решеткой имеет n=6· 1014 cm-2. В спектре ХПЭЭ при монослойном покрытии наряду с линиями, характерными для BaO, наблюдается линия с Delta E~ 3 eV, идентифицируемая с потерей энергии на возбуждение поверхностного плазмона в слое атомов Ba. Предполагается, что появление минимума и максимума на кривой изменения работы выхода varphi=f(n) связано с металлическими свойствами поверхностного слоя Ba в монослое BaO.
Baun W.L. Appl. Surf. Sci. 4, 374 (1980)
Verhoeven J., van Doveren H. Appl. Surf. Sci. 5, 361 (1980)
Lampert W.V., Rachocki K.D., Lamartine B.C., Haas T.W. Appl. Surf. Sci. 8, 66 (1981)
Lampert W.V., Lamartine B.C., Haas T.W. Appl. Surf. Sci. 9, 165 (1981)
Rachocki K.D., Lamartine B.C., Haas T.W. Appl. Surf. Sci. 16, 40 (1983)
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П. Изв. АН СССР. Сер. физ. 33, 462 (1969)
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П., Скляр В.К. Изв. АН СССР. Сер. физ. 43, 464 (1979)
Кораблев В.В. ФТТ 12, 6, 1639 (1970)
Kunz C. Z. Phys. 196, 311 (1966)
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П. Изв. АН СССР. Сер. физ. 35, 1064 (1971)
Bauer E., Poppa H., Viswanath Y. Surf. Sci. 58, 517 (1976)
Yoshida S., Shibata N., Igarashi Y., Arata H. J. Appl. Phys. 27, 497 (1956)
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П., Скляр В.К. Изв. РАН. Сер. физ. 58, 137 (1994)
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П., Скляр В.К. Изв. АН СССР. Сер. физ. 52, 1496 (1988)
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П., Скляр В.К., Ясько А.А. Кристаллография 31, 367 (1986)
Ahmed H. Sci. Prog. 57, 259 (1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук