Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эллипсометрия in situ при выращивании пленок твердых растворов кадмий--ртуть--теллур методом МЛЭ

Свиташев К.К.¹, Швец В.А.¹, Мардежов А.С.¹, Дворецкий С.А.¹, Сидоров Ю.Г.¹, Варавин В.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 7 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Применение эллипсометрии в качестве метода контроля процесса МЛЭ при росте слоев КРТ позволило решить ряд проблем, таких как определение скорости роста, контроль морфологии и состава синтезируемых слоев, и получить пленки высокого структурного совершенства, пригодные для изготовления фоточувствительных структур.

Demay Y., Galliard J.P., Medina P. J. Cryst. Growth. 1987. Vol. 81. P. 97--100
Мардежов А.С., Михайлов Н.Н., Швец В.А. Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. N 12. С. 92--96
Demay Y., Arnoult D., Galliard J.P., Medina P. J. Vac. Sci. Technol. 1987. Vol. A5. P. 3139--3142
Hartley R.H. et al. J. Cryst. Growth. 1992. Vol. 117. P. 166--170
Sabinina I.V., Cutakovsky A.K., Sidorov Yu.G. et al. J. Cryst. Growth. 1992. Vol. 117. P. 238--243
Баютова О.Р., Мардежов А.С., Покровский Л.Д. и др. Автометрия. 1993. N 1. С. 98--105
Брагинский Л.С., Гилинский И.А., Свиташева С.Н. ДАН. 1987. Т. 293. N 5. С. 1097--1101
McLevige W.V., Arias J.M., Edwall D.D., Johnston S.L. J. Vac. Sci. Technol. 1991. Vol. B9. N 5. P. 2483--2486
Arvin H., Aspnes D.E., Rhiger D.R. J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. N 12. P. 7132--7138
Arvin H., Aspnes D.E. J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. Vol. 2. N 3. P. 1316--1323
Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29. N 12. P. 6752--6760
Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Ремесник В.Г. и др. ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 4. С. 577--583
Гутаковский А.К., Елисеев В.М., Любинская Р.И. и др. Поверхность. 1988. N 9. С. 80--88
Мардежов А.С., Швец В.А., Свешникова Л.Л., Данилова М.Г. Поверхность. 1989. N 7. С. 125--130
Корнюшкин А.А., Курдина Т.И., Мардежов А.С. и др. Поверхность. 1991. N 8. С. 94--100
Aspnes D.E. Thin Solid Films. 1982. Vol. 89. P. 249--262

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель