Издателям
Вышедшие номера
Процессы токопрохождения сквозь туннельно-прозрачный диэлектрик ПТДП-структуры
Бойцов С.К., Вуль А.Я., Дидейкин А.Т., Зинчик Ю.С., Осипов В.Ю., Макарова Т.Л.
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Исследованы механизмы токопереноса в структурах высоколегированный (1019 см-3) p+-поликремний-туннельно-прозрачный слой SiO2-p-кремний. Толщина выращенного по низкотемпературной технологии бездефектного туннельно-тонкого окисла варьировалась от 20 до 52 Angstrem. При T=77 K прямые вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур в области ограничения тока туннельной проводимостью диэлектрика имеют резко выраженный пороговый характер, что связано с переходом приповерхностной области полупроводника в состояние обогащения. При этом основные носители (дырки) туннелируют из аккумуляционного дырочного слоя через окисел в p+-поликремний. Наблюдаемое сильное уменьшение наклона ВАХ с ростом толщины окисла главным образом связано с уменьшением вероятности туннелирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.