"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с p-n-затвором
Дмитриев В.А.1, Иванов П.А.1, Челноков В.Е.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 13 декабря 1990 г.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.