"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование полупроводникового AlGaAs-GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Ковальчук Ю.В., Мячин В.Е., Островский А.Ю., Русанович И.Ю., Соколов И.А., Фокин Г.А., Чалый В.П., Этинберг М.И., Александров М.Л., Майоров А.А., Романов С.С., Степанов М.В.
Поступила в редакцию: 28 ноября 1990 г.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.