Издателям
Вышедшие номера
Радиационное дефектообразование в кристаллах фтористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка
Егранов А.В.1, Раджабов Е.А.1, Непомнящих А.И.1, Ивашечкин В.Ф.1, Васильева И.Е.1
1Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук, Иркутск, Россия
Email: alegra@igc.irk.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Показано, что в кристаллах фотористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка, ионизирующее излучение восстанавливает примесные ионы до одновалентного состояния. При этом одновалентный ион окружен восемью эквивалентными ионами фтора и имеет кубическую симметрию Oh. Обнаружено, что при комнатной температуре происходит последовательное понижение симметрии центра сначала до C3v и далее до C2v за счет присоединения к ближайшему окружению примесного одновалентного иона одной или двух анионных вакансий соответственно, т. е. собственных дефектов, которые в неактивированных кристаллах фтористого стронция и кальция не образуются. Предполагается, что образование стабильных собственных дефектов происходит путем разделения пар анионная вакансия-междоузельный фон фтора в электрических полях, создаваемых восстановленными ионами примеси. Электрическое поле, создаваемое таким примесным дефектом, понижает энергетический барьер для термического разделения заряженных собственных дефектов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-01057a). PACS: 78.40.Ha, 78.55.Hx
  • Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. Наука, М. (1989). 264 с
  • K.S. Song, R.T. Williams. Self-trapped excitons. Springer series in solid state sciences. V. 105 / Ed. M. Cardona. Springer-Verlag, Berlin (1993). 396 p
  • Crystal with fluorite structure. Electronic, vibrational, and defect properties / Ed. W. Hayes. Clarendon press, Oxford (1974)
  • P.J. Call, W. Hayes, J.P. Stott, A.E. Hughes. J. Phys. C: Solid State Phys. 7, 2417 (1974)
  • Н.Г. Романов, В.А. Ветров, П.Г. Баранов. Письма в ЖЭТФ 37, 325 (1983)
  • P.J. Call, W. Hayes, M.N. Kabler. J. Phys. C: Solid State Phys. 8, L 60 (1975)
  • D. Bloch, A. Wasiela, Y. Merle D'Aubligne. J. Phys. C: Solid State Phys. 11, 4201 (1978)
  • P.J. Call, W. Hayes, R. Huzimura, M.N. Kabler. J. Phys. C: Solid State Phys. 8, L 56 (1975)
  • A.I. Nepomnyashchikh, E.A. Radzhabov, A.V. Egranov, V.F. Ivashechkin, A.S. Istomin. Radiation effects and defects in solids 157, 715 (2002)
  • S.D. Ganichev, E. Ziemann, W. Prettl, I.N. Yassievich, A.A. Istratov, E.R. Weber. Phys. Rev. B 61, 10 361 (2000)
  • J. Frenkel. Phys. Rev. 54, 647 (1938)
  • D. Redfield. Phys. Rev. 130, 914 (1963)
  • J.D. Dow, D. Redfield. Phys. Rev. B 5, 594 (1972)
  • D.L. Staebler, S.E. Schnatterly. Phys. Rev. B 3, 516 (1971)
  • E. Radzhabov, A. Mysovsky, A. Egranov, A. Nepomnyashikh, T. Kurobori. Phys. Status Solidi C 2, 388 (2005)
  • A.I. Nepomnyashchikh, E.A. Radzhabov, A.V. Egranov, V.F. Ivashechkin. A.S. Istomin, T. Kurobori. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 537, 27 (2005)
  • J.H. Beaumont, W. Hayes, D.L. Kirk, G.P. Summers. Proc. R. Soc. Lond. A: Math. Phys. Sci. (U.K.) 315, 69 (1970)
  • В.Ф. Крутиков, Н.И. Силкин, В.Г. Степанов. ФТТ 18, 2958 (1976)
  • A.V. Egranov, E.A. Radzhabov, A.I. Nepomnyashchikh, V.F. Ivashechkin. Изв. вузов. Физика 4 (Приложение), 30 (2006)
  • C.R.A. Catlow. J. Phys. C: Solid State Phys. 12, 969 (1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.