Издателям
Вышедшие номера
Распределение кремния по подрешеткам в полупроводниковых соединениях A3B5
Пономарев К.В.1, Коржавый П.А.1, Векилов Ю.Х.1
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

На основе анализа энергии растворения кремния, энергий образования собственных дефектов и энергий реакций взаимодействия, полученных путем расчета полной энергии неупорядоченных соединений, определено стабильное положение примеси замещения Si в GaAs и AlAs при T=0 K. Проведенные расчеты свидетельствуют о влиянии на распределение Si амфотерности и наличия вакансий. При низких концентрациях, Si располагается в GaAs на подрешетке элемента III группы, а в AlAs --- на подрешетке элемента V группы.
  • B.K. Meyer, J.M. Spaeth, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett. 52, 10, 851 (1984); G.W. Ludwig. Phys. Rev. 137, 5A, 1520 (1965)
  • G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett. 55, 12, 1327 (1985)
  • Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985)
  • В.И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках. Металлургия, М. (1992)
  • Ю.Х. Векилов, О.И. Горбатов, М.Ю. Лашкевич, А.В. Рубан. ФТТ 36, 2, 301 (1994)
  • J.E. Northrup, S.B. Zhang. Phys. Rev. B47, 11, 6791 (1993)
  • N.E. Christensen. Phys. Rev. B32, 1, 207 (1985)
  • O. Gunnarsson, O. Jepsen, O.K. Andersen. Phys. Rev. B27, 12, 7144 (1983)
  • A.V. Ruban, J.A. Abrikosov, H.L. Skriver. Phys. Rev. B51, 19, 12958 (1995)
  • J. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B23, 10, 5048 (1981).
  • P.A. Korzhavyi, A.V. Rudan, J.A. Abrikosov, H.L. Skriver. Phys. Rev. B51, 9, 5773 (1995)
  • G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B30, 4, 3460 (1984).
  • А.В. Рубан. Частное сообщение
  • R.C. Newman. Semicond. Sci. Technol. 9, 10, 1749 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.