Издателям
Вышедшие номера
Экситоны в кристаллах ZnP2 в электрическом поле барьера Шоттки
Романовский С.О.1, Селькин А.В.1, Стамов И.Г.1, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследовано влияние электрического поля на экситонные состояния кристаллов beta-ZnP2 (T=77 K) в структурах с барьерами Шоттки, образованными нанесением на поверхность кристаллов полупрозрачных электропроводящих пленок InSnO2. Наблюдаемые изменения спектров экситонного отражения света под действием приложенного к барьеру электрического напряжения объясняются сдвигом и уширением экситонного уровня за счет эффекта Штарка. Экспериментальные данные сравниваются с результатами расчета, выполненного в рамках теории экситонного отражения света от планарных пространственно неоднородных структур.
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник / Пер. с англ. под ред. Г.В. Степанова. Радио и связь, М. (1982). 208 с
  • В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987). 160 с
  • L. Schultheis, K. Kohler, C.W. Tu. Phys. Rev. B36, 12, 6609 (1987)
  • А.Б. Новиков, Б.В. Новиков, Г. Роппишер, А.В. Селькин, Н. Штайн, Р.Б. Юферев. Письма в ЖЭТФ 64, 1, 38 (1996)
  • M.A. Jacobson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, D.K. Nelson, A.V. Sel'kin, V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, C.H. Carter, Jr. Proc. 23rd Int. Conf. on the Phys. of Semicond. Berlin, Germany (1966). V. 1. P. 569
  • А.Б. Певцов, С.А. Пермогоров, А.В. Селькин, Н.Н. Сырбу, А.Г. Уманец. ФТП 16, 8, 1399 (1982)
  • А.В. Селькин. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, 2(11), 87 (1996)
  • R.J. Damburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B9, 3358 (1976)
  • Н.Н. Ахмедиев, М.И. Сажин, А.В. Селькин. ЖЭТФ 96, 2(8), 720 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.