С использованием рентгеновской дифрактометрии и низкотемпературной экситонной спектроскопии исследованы гетероэпитаксиальные слои CdSe/CdS, выращенные в интервале температур 350-485^oC методом MOCVD. Установлено, что высокотемпературные образцы демонстрируют экситонные и рентгеновские дифракционные спектры, характерные для гексагональных структур вюртцита (W), в то время как низкотемпературные образцы проявляют особенности, характерные для кубической структуры сфалерита (ZB). Ряд образцов обнаруживает рентгеновские спектры, характерные для структур с дефектами упаковки (SF), представляющими в изучаемых структурах отдельную кристаллическую фазу. Установлен факт пространственного разделения отдельных кристаллических фаз.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.