Приведены результаты измерений эффектов Нернста--Эттинсгаузена (НЭ) на образцах HgSe с различным содержанием галлия 0.6·1018<N(Ga)<4.7·1018 cm-3 при температурах 20--60 K в классическом интервале изменения магнитного поля (0--40) kOe. Обнаружена смена знака коэффициентов НЭ при низких температурах как с ростом содержания галлия, так и при увеличении магнитного поля. Показано, что все наблюдающиеся на опыте необычные зависимости эффектов НЭ в кристаллах HgSe обусловлены эффектом взаимного увлечения электронов и фононов. Таким образом, обнаружено на эксперименте проявление эффекта взаимного электрон-фононного увлечения в полупроводниках с высокой концентрацией электронов проводимости. Работа выполнена при финансовой поддержке ИНТАС (грант N 93-3657).
С.С. Шалыт, С.А. Алиев. ФТТ 6, 7, 1979 (1964)
С.А. Алиев, Л.Л. Коренблит, С.С. Шалыт. ФТТ 7, 6, 1973 (1965)
И.Н. Дубровная, Ю.И. Равич. ФТТ 8, 5, 1455 (1966)
В.И. Тамарченко, Ю.И. Равич, Л.Я. Морговский, И.Н. Дубровская. ФТТ 11, 11, 3506 (1969)
И.Г. Кулеев, И.И. Ляпилин, А.Т. Лончаков, И.М. Цидильковский. ЖЭТФ 106, 4( 10), 1205 (1994); ЖЭТФ 103, 4, 1447 (1993)
С.С. Шалыт, В.М. Муждаба, А.Д. Галецкая. ФТТ 16, 5, 1277 (1968)
И.Г. Кулеев, И.И. Ляпилин, А.Т. Лончаков, И.М. Цидильковский. ФТП 28, 6, 937 (1994)
I.G. Kuleev, I.I. Lyapilin, A.T. Lonchakov, I.M. Tsidikovskii. Semicond. Sci. Technol. 10, 314 (1995)
T. Dieitl, W. Szymanska. J. Phys. Chem. Sol. 39, 10, 1041 (1978)
А.Л. Натадзе, А.Л. Эфрос. ФТТ 4, 10, 2931 (1962)
Л.Э. Гуревич, И.Я. Коренблит. ФТТ 6, 3, 856 (1962)
И.Г. Ланг, С.Т. Павлов. ЖЭТФ 63, 4( 10), 1495 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.