Издателям
Вышедшие номера
Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов HgTeS
Щенников В.В.1, Карькин А.Е.1, Гавалешко Н.П.1, Фрасуняк В.М.1
1Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: phisica@ifm.e-burg.su
Поступила в редакцию: 24 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Исследованы удельное сопротивление rho и константа Холла R кристаллов HgTe1-xSx (0.04=< x=< 0.6) в интервале температур 4.2--350 K в магнитных полях B до 14 T, а также барические зависимости rho в интервале давлений P до 1 GPa при T=77-300 K и B=0-2 T. Установлено, что образцы с x=< 0.20 имеют убывающую зависимость rho(T), свойственную бесщелевым полупроводникам, а с x<= 0.27 --- типичную для полуметаллов. В полупроводниковых кристаллах с x~ 0.20 и x~ 0.14 обнаружено изменение знака температурного коэффициента rho(T) при T=265 и T>300 K соответственно. Под давлением ~ 1 GPa температура инверсии знака уменьшалась на ~ 30 K. У полупроводниковых образцов с ростом T и B изменялся знак R, а у полуметаллических --- оставался электронным. Поведение R и rho коррелирует с данными термоЭДС, снятыми при квазигидростатическом P до 3 GPa. Показано, что замещение Te атомами серы увеличивает концентрацию электронов и снижает их подвижность. При P>1-1.5 GPa зафиксирован переход в фазу широкозонного полупроводника. Делается вывод об аналогии свойств полуметаллических кристаллов HgTe1-xSx c x<= 0.27 и HgSe. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 98-03-32656) и ГНТП "Физика квантовых и волновых процессов" ("Статистическая физика", проект N VIII-8).
  • И.М. Цидильковский. Бесщелевые полупроводники --- новый класс веществ. Наука, М. (1986). 240 с
  • А.А. Абрикосов, С.Д. Бенеславский. ЖЭТФ 59, 10, 1280 (1970)
  • Б.Л. Гельмонт, М.И. Дъяконов. ЖЭТФ 62, 2, 713 (1972)
  • Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский. УФН 120, 3, 337 (1976)
  • И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. Наука, М. (1972). 640 с
  • Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Воениздат СССР (1982). 208 с
  • В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк, В.И. Осотов. ФТТ 37, 8, 2398 (1995)
  • В.В. Щенников, А.Е. Карькин, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. ФТТ 39, 10, 1717 (1997)
  • В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. ФТТ 37, 11, 3532 (1995)
  • V.V. Shchennikov, V.I. Osotov, N.P. Gavaleshko, V.M. Frasunyak. In: High Pressure science and techology / Ed by W.A. Trzeciakowski. World Scientific Publishing Co, Singapore (1996). P. 493--495
  • Е.И. Никольская, А.Р. Регель. ЖТФ 25, 8, 1347 (1955)
  • Е.И. Никольская, А.Р. Регель. ЖТФ 25, 8, 1352 (1955)
  • Б.Ф. Биленький, В.Г. Савицкий, А.К. Филатова. УФЖ 18, 10, 1729 (1973)
  • R. Zallen, M. Slade. Solid State Commun. 8, 16, 1291 (1970)
  • А.Е. Карькин, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е. Данилов, В.Л. Арбузов. ЖЭТФ 113, 5, 1787 (1998)
  • L.G. Khvostantsev, L.F. Vereshchagin, N.M. Uliyanitskaya. High Temp.-High Press. 5, 3, 261 (1973)
  • A.J. Miller, G.A. Saunders, Y.K. Yogurtchu, A.E. Abey. Phil. Mag. A43, 6, 1447 (1981)
  • B.A. Lombos, E.Y.M. Lee, A.L. Kipling, R.W. Krawczyniuk. J. Phys. Chem. Sol. 36, 11, 1193 (1975)
  • W. Paul, D.M. Warschauer. In: Solids under Pressure. W. Paul, D.M. Warschauer / Ed. by McGraw-Hill Book company, Inc., N.Y.--London (1963)
  • П.С. Киреев. Физика полупроводников. Высшая шк., М. (1975). 584 с
  • К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 615 с
  • C.C. Kwan, J. Basinsky, E. Burstain. Phys. Stat. Sol. ( b) 48, 699 (1971)
  • R. Piotrzkowski, S. Porowski, Z. Dziuba, J. Ginter, W. Giriat, L. Sosnowski. Phys. Stat. Sol. 8, K135 (1965)
  • J. Blair, A.L. Smith. Phys. Rev. Lett. 7, 4, 124 (1961)
  • И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТТ 24, 9, 2658 (1982)
  • G.D. Pitt, J.H. McCartney, J. Less, D.A. Wright, J. Phys. D: Appl. Phys. 5, 7, 1330 (1972)
  • J.H. Morissy, G.D. Pitt, M.K.R. Vyas. J. Phys. C: Solid State Phys. 7, 4, 113 (1974)
  • S. Narita, M. Egawa, K. Suizu, M. Katayama, S. Mizukami. J. Appl. Phys. 2, 3, 151 (1973)
  • A. Lacam, J. Peyronneau, L.J. Engel, B.A. Lombos. Chem. Phys. Lett. 18, 1, 129 (1973)
  • В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. ФТТ 35, 2, 389 (1993)
  • В.В. Щенников. ФММ 67, 1, 93 (1989)
  • J.A. Majewski, P. Vogl. Phys. Rev. Lett. 57, 11, 1366 (1986)
  • J.C. Gonthier, A. Raymond, J.L. Robert, R. Triboulet, J.P. Faurie. Semicond. Sci. Technol. 5, 3S, S217 (1990)
  • S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B43, 2, 1662 (1991)
  • M.A. Berding, A. Sher, A.-B. Chen. J. Appl. Phys. 68, 10, 5064 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.