Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства ультратонких Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga
Бенеманская Г.В.1, Евтихиев В.П.1, Франк-Каменецкая Г.Э.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Для субмонослойных Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga, исследованы электронные спектры поверхностных состояний и ионизационная энергия как функция покрытия. Использовался метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. При Cs-покрытии вблизи половины монослоя в спектре ниже уровня Ферми обнаружены две узкие зоны, индуцированные адсорбцией, что указывает на наличие двух неэквивалентных позиций для атомов Cs при взаимодействии с димерами Ga. Установлено, что Cs-покрытие ~ 0.7 монослоя является насыщающим для оборванных связей Ga и адсорбционная связь имеет преимущественно ковалентный характер. При покрытиях, близких к монослою, впервые наблюдались широкие зоны с энергией 1.9, 2.05 и 2.4 eV, которые могут быть связаны с возбуждением Cs-островков или кластеров и поверхностного Cs-плазмона соответственно. Результаты свидетельствуют о наличии двух фаз адсорбции с сильной и слабой связями. Работа выполнена при поддержке гранта N 98-02-18265 РФФИ и гранта N 99-2.14 программы Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры".
  • W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Springer-Verlag. (1992). 366 p
  • F. Bechstedt, M. Scheffler. Surf. Sci. Rep. 18, 145 (1993)
  • M. Vitomirov, A.D. Raisanen, A.C. Finnefrock. J. Vac. Sci. Technol. B10, 4, 1898 (1992)
  • M. Kamaratos, E. Bauer. J. Appl. Phys. 70, 12, 7564 (1991)
  • Yia-Chung Chang, Shang-Fen Ren, D.E. Aspnes. J. Vac. Sci. Technol. A10, 4, 1856 (1992)
  • Г.В. Бенеманская, Д.В. Дайнека, Г.Э. Франк-Каменецкая. Письма в ЖЭТФ 65, 9, 699 (1997)
  • G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya. Surf. Rev. Lett. 5, 1, 91 (1998)
  • J. Kim, M.C. Callaghder, R.F. Willis. Appl. Surf. Sci. 67, 286 (1993)
  • A. Liebch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
  • Г.В. Бенеманская. М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 5, 1664 (1992)
  • D. Rodway. Surf. Sci. 147, 103 (1984)
  • G. Vergara, L.J. Gomez, J. Campany, M.T. Montojo. Surf. Sci. 278, 131 (1992)
  • B. Kierren, D. Paget. J. Vac. Technol. A15, 4, 2074 (1997)
  • A. Liebsch, G. Hincelin, T. Lipez-Rios. Phys. Rev. B41, 15, 10 463 (1990)
  • A.O. Gusev, D. Paget, Y.Ya. Aristov, P. Soukassian, V.L. Berkovits, V. Thierry-Mieg. J. Vac. Sci. Technol. A15, 4, 192 (1997)
  • H. Gao. J. Vac. Technol. A5, 4, 1295 (1987)
  • J. Sakai, G. Mizutani, S. Ushioda. Appl. Surf. Sci. 64, 275 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.