Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si

Максимов Г.А.¹, Красильник З.Ф.², Филатов Д.О.¹, Круглова М.В.¹, Морозов С.В.², Ремизов Д.Ю.², Николичев Д.Е.¹, Шенгуров В.Г.¹

¹Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: Filatov@phys.unn.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур GeSi/Si с нанокластерами GeSi в i-области, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии с газофазным источником Ge. В спектрах фотоэдс p-i-n-диодов (300 K) наблюдалась полоса фоточувствительности, связанная с межзонными переходами в нанокластерах GeSi. Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 K, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Работа выполнена при поддержке совместной Российско-американской программы Министерства образования РФ и Американского фонда гражданских исследований и развития (CRDF) "Фундаментальное исследование и высшее образование" (REC-NN-001), Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-17085) и Министерства образования РФ (N E02-3.4-238 и A03-2.9-473).

З.Ф. Красильник, А.В. Новиков. УФН 170, 3 (2000)
G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci Technol. 11, 1525 (1996)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 11 (2000)
С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Сер. физ. 65, 2, 204 (2001)
Л.П. Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. Высш. шк., М. (1975). С. 112
В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Наука и техника, Минск (1975). С. 86
В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП 31, 171 (1997)
M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett. 82, 3236 (2003)
R. Apetz, L. Vescan, C. Dieker, H. Luth. Appl. Phys. Lett. 66, 445 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель