Исследована фотолюминесценция полупроводниковых структур Si:Er:O/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. При температуре жидкого гелия измерены зависимости интенсивности фотолюминесценции эрбия от интенсивности возбуждения. Анализ полученных экспериментальных результатов на основе экситонной модели возбуждения ионов эрбия в матрице кристаллического кремния указывает на существенную роль альтернативного (помимо донорных уровней эрбиево-кислородных комплексов) канала захвата свободных экситонов, а также безызлучательного канала рекомбинации экситонов, связанных на эрбиевых донорах, без возбуждения эрбия. Оценена доля оптически активных центров эрбиевой люминесценции по отношению к полной концентрации введенного эрбия. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 98-02-16619, 98-02-18246, 99-03-32757), МНТП "Фундаментальная спектроскопия" (проект 08.02.043), МЦФПИН (грант 00-2-01) и ИНТАС (грант 99-01872).
X. Zhao, S. Komuro, H.Isshiki, Y. Aoyuagi, T. Sugano. Appl. Phys. Lett. 74, 1, 120 (1999)
В.И. Емельянов, Б.В. Каменев. П.К. Кашкаров, Е.И. Константинова, В.Ю. Тимошенко, Е.И. Теруков, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев. ФТТ 42, 8, 1372 (2000)
B.A. Andreev, A.Y. Andreev, H. Ellmer, H. Hutter, Z.F. Krasil'nik, V.P. Kuznetsov, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, K. Piplits, R.A. Rubtsova, N.S. Sokolov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, E.A. Eskova. J. Cryst. Growth 201--202, 534 (1999)
J. Michel, F.Y.G. Ren, B. Zheng, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.G. Kimerling. Mater. Sci. Forum 143--147, 707 (1994)
A. Polman, G.N. van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys. 77, 1256 (1995)
A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997)
А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник, Ю.А. Карпов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.Б. Шмагин, Н. Ellmer, L. Palmetshofer, K. Piplitz, H. Hutter. ФТП 33, 2, 156 (1999)
W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikova, H. Preier. J. Lumin. 80, 9 (1999)
Б.А. Андреев, А.Ю. Андреев, Д.М. Гапонова, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, М.В. Степихова, В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, Е.А. Ускова, S. Lanzerstorfer. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 2, 269 (2000)
R. Serna, J.H. Shin, M. Lohrmeier, E. Vlieg, A. Polman. J. Appl. Phys. 79, 5, 2658 (1996)
О.Б. Гусев. Докт. дис. ФТИ РАН, СПб (1998)
М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. ФТТ 38, 5, 1474 (1996)
G. Davies. Phys. Rep. 176, 83 (1989)
W. Schmid. Phys. Stat. Sol. (b) 84, 529 (1977)
T. Steiner, M.L.W. Thewalt. Solid State Commun. 49, 1121 (1984)
J.C. Merle, M. Capizzi, F. Fiorini, A. Frova. Phys. Rev. B13, 4821 (1978)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук