Издателям
Вышедшие номера
Эффекты локального поля в спектрах анизотропного оптического отражения поверхности (001) арсенида галлия
Берковиц В.Л.1, Гордеева А.Б.1, Кособукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Berkovits@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

В диапазоне энергий 1.5--5.7 eV измерены характерные спектры анизотропного отражения света от естественно окисленных поверхностей (001) нелегированных кристаллов GaAs и эпитаксиальных пленок Ga0.7Al0.3As. Для объяснения спектров предложена микроскопическая модель границы раздела (001) GaAs/окисел и развита теория анизотропного (дифференциального) отражения света от многослойной среды с монослоем атомных диполей, расположенным вблизи одной из границ раздела. В рамках метода функций Грина классической электродинамики на единой основе учтены анизотропия поляризуемости диполей и анизотропия плоской решетки, образованной диполями. Хорошее совпадение измеренных и рассчитанных спектров анизотропного отражения окисленных поверхностей (001) GaAs показывает, что основной вклад в эти спектры обусловлен эффектами локaльного поля на границе раздела полупроводник--окисел. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 99-02-18144 и 00-02-18924) и частичной поддержке проекта Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 3.7.99).
  • P. Chiaradia, G. Charotti. In: Photonic Probes of Surfaces. Electromagnetic Waves --- Recent Developments in Research. Vol. 2 / Ed. by P. Halevi. Elsevier Science, Amsterdam (1995). Chap. 3, p. 99
  • V.L. Berkovits, P. Chiaradia, D. Paget, A.B. Gordeeva, C. Goletti. Surf. Sci. 441, 26 (1999); A.I. Shkrebtii, N. Esser, W. Richter, W.G. Schmidt, F. Bechstedt, A. Kley, R. Del Sole. Phys. Rev. Lett. 81, 3, 721 (1998)
  • V.L. Berkovits, D. Paget. Thin Solid Films 233, 9 (1993)
  • S.E. Acosta-Ortiz, A. Lastras-Martinez. Solid State Commun. 64, 5, 809 (1987)
  • D.E. Aspnes. J. Vac. Sci. Technol. B3, 5, 1498 (1985)
  • D.I. Westwood, Z. Sobiesierski, C.C. Matthai, E. Steimetz, T. Zettler, W. Richter. J. Vac. Sci. Technol. B16, 4, 2358 (1998)
  • В.Л. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Е.Б. Новиков, В.И. Сафаров, Р.В. Хасиева, Б.В. Царенков. ФТП 25, 7, 1406 (1991)
  • T. Nakayama. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 2, 741 (1997); M. Murayama, K. Shiraishi, T. Nakayama. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 7, 4109 (1998)
  • S.E. Acosta-Ortiz. J. Appl. Phys. 70, 6, 3239 (1991)
  • В.Л. Берковиц, А.Б. Гордеева, В.М. Лантратов, Т.В. Львова. ФТТ 42, 5, 950 (2000)
  • N. Kar, A. Bagchi. Solid State Commun. 33, 6, 645 (1980); A. Bagchi, R.G. Barrera, B.B. Dasgupta. Phys. Rev. Lett. 44, 22, 1475 (1980)
  • A. Bagchi, R.G. Barrera, R. Fuchs. Phys. Rev. B25, 12, 7086 (1982)
  • W.L. Mochan, R.G. Barrera. Phys. Rev. Lett. 56, 20, 2221 (1986)
  • P. Ye, Y.R. Shen. Phys. Rev. B28, 8, 4288 (1982)
  • W.L. Mochan, R.G. Barrera. Phys. Rev. Lett. 55, 11, 1192 (1985)
  • I. Gerard, C. Debiemme-Chouvy, J. Vigneron, F. Bellenger, S. Kostelitz, A. Etcheberry. Surf. Sci. 433--435, 131 (1999)
  • W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Kahn. J. Vac. Sci. Technol. B10, 4, 1886 (1992)
  • B.M.E. Van der Hoff, G.C. Benson. Can. J. Phys. 31, 1087 (1953); B.R.A. Nijboer, F.D. de Wette. Physica 23, 309 (1957). 24, 422 (1958); G.D. Mahan, A.A. Lucas. J. Chem. Phys. 68, 1344 (1978)
  • В.А. Кособукин. ФТТ 36, 10, 3015 (1994)
  • В.А. Кособукин. Препринт ФТИ N 1724, СПб. (1999). 64 с
  • M. Sauvage-Simkin, R. Pinchaux, J. Massies, P. Claverie, N. Jedrecy, J. Bonnet, I.K. Robinson. Phys. Rev. Lett. 62, 5, 563 (1989)
  • I. Vasiliev, S. Ogut, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. Lett. 78, 25, 4805 (1997)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B27, 2, 985 (1983)
  • D.E. Aspnes, G.P. Schwarts, G.J. Gualtieri, A.A. Studna, B. Schwartz. J. Electrochem. Soc. 128, 3, 591 (1981)
  • Ф.М. Морс, Г. Фешбах. Методы теоретической физики. Т. I. ИИЛ, М. (1958). 930 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.