"Журнал технической физики"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур

Аскинази А.Ю.¹, Барабан А.П.¹, Милоглядова Л.В.¹

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 21 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы структуры Si--SiO₂, сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO₂ на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя.

Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988. 304 с

Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Дмитриев В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 27. С. 57--61

Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В. и др. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 8. С. 87--90

Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 с

Skuja L.N., Streletsky A.N., Pakovich A.B. // Sol. State Commun. 1984. Vol. 50. N 12. P. 1069--1072

Afanas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A.G. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 5. P. 2184--2199

Stahlbush R.E., Campisi G.J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. NS-39. P. 2086--2097

Stoemenos J., Garcia A. et al. // J. Electrochem. Soc. 1995. Vol. 142. N 4. P. 1248--1260

Bota S., Perez-Rodriguez A., Morante H.R. et al. // VI Intern. Symposium on Silicon-On-Insulator Tech. and Devices. San Franciso, 1994. P. 179--184

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель