"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур
Аскинази А.Ю.1, Барабан А.П.1, Милоглядова Л.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Исследованы структуры Si--SiO2, сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO2 на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя.
  • Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988. 304 с
  • Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Дмитриев В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 27. С. 57--61
  • Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В. и др. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 8. С. 87--90
  • Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 с
  • Skuja L.N., Streletsky A.N., Pakovich A.B. // Sol. State Commun. 1984. Vol. 50. N 12. P. 1069--1072
  • Afanas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A.G. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 5. P. 2184--2199
  • Stahlbush R.E., Campisi G.J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. NS-39. P. 2086--2097
  • Stoemenos J., Garcia A. et al. // J. Electrochem. Soc. 1995. Vol. 142. N 4. P. 1248--1260
  • Bota S., Perez-Rodriguez A., Morante H.R. et al. // VI Intern. Symposium on Silicon-On-Insulator Tech. and Devices. San Franciso, 1994. P. 179--184
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.