Наноразмерные изменения структуры ионно-облученных кристаллов кремния на глубинах, превышающих пробег внедряемых ионов
Киселев А.Н.1, Левшунова В.Л.1, Перевощиков В.А.1, Скупов В.Д.1
1Нижегородский государственный технический университет (НГТУ) Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ), Нижний Новгород
Email: vap@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
Методом атомно-силовой микроскопии обнаружено изменение микроморфологии поверхности ионно-облученных кристаллов кремния при послойном химико-динамическом полировании и селективном травлении до глубин, существенно превышающих пробег ионов аргона с энергией 40 KeV.
- Куликов А.В., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 13. С. 27--31
- Перевощиков В.А., Скупов В.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 8. С. 50--54
- Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 88 с
- Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 2. С. 217--222
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 503--507
- Демидов Е.С., Латышева Н.Д., Перевощиков В.А. и др. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36. В. 5. С. 1--4
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук