Аморфизация кристаллов Si ионами He+
Реутов В.Ф.1, Сохацкий А.С.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н. Флерова, Дубна
Email: sohatsky@nrsun.jinr.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
Изучена возможность аморфизации кремния в процессе облучения ионами гелия. Исследование структурных изменений в кремнии вдоль пробега бомбардирующих ионов гелия с E=17 keV проводилось методом просвечивающей электронной микроскопии тонких самонесущих пластинок Si (100), облученных в плоский торец (грань 011) при комнатной температуре в интервале доз от 3· 1016 до 3· 1017 cm-2. Установлено, что аморфизация кремния происходит, когда отношение скорости генерации дефектов к скорости введения атомов гелия в Si более 90 (в ед. число смещений/атом He), при флюенсах ионов более 1017 cm-2.
- Morehead F.F., Crowder B.L. // Rad. Eff. 1970. V. 6. N 1/2. P. 27--32
- Takeda S., Yamasaki J. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. P. 320--323
- Реутов В.Ф. // ЖТФ. 1981. Т. 51. С. 2403--2407
- Реутов В.Ф., Ждан Г.Т., Ибрагимов Ш.Ш. // ВАНТ. Сер. ФРП и РМ. 1981. Вып. 2(16). С. 87--89
- Raineri V., Coffa S., Szilagyi E., Gyulai J., Rimini E. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 937--945
- Siegele R. Weatherly G.C., Haugen H.K., Lockwood D.J., Howe L.M. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 1319--1321
- Реутов В.Ф., Сохацкий А.С. // Материаловедение. 1998. Т. 10. С. 6--9. Препринт ОИЯИ Р14-97-199. Дубна, 1997
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
