Теоретически исследовано влияние геометрических и физических параметров самоорганизованных наноостровков SiGe на кремниевой подложке на величину их полной энергии. Показано, что температура роста островков и концентрация Si в островках влияют на значение минимума энергии. Результаты численных расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по наноостровкам, полученными с помощью атомно-силовой микроскопии. Работа выполнена при поддержке российско-украинской программы "Нанофизика" и INTAS (проект N 01 0444).
K. Bruner. Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002)
Z.F. Krasilnik, P.M. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Novikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchuk. Nanotechnology 13, 81 (2002)
J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett. 70, 18, 2782 (1993)
J. Tersoff, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett. 72, 22, 3570 (1994)
Y.W. Zhang, A.F. Bower. Appl. Phys. Lett. 78, 18, 2706 (2001)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теор. физика. Т. VII. Теория упругости. Наука, М. (1987). С. 28
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук