Исследованы фотолюминесценция и атомно-силовая микроскопия многослойных Si / Ge-наноструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких (250-300oC) температурах осаждения германия. Сделано предположение, что при низкотемпературной эпитаксии смачивающий слой формируется путем сращивания двумерных (2d) и трехмерных (3d) наноостровков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17191), Программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры" (проект 7.12) и Программы поддержки ведущих научных школ.
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитинов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 11, 1281 (2000)
G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol. 11, 1521 (1996)
P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3, 1575 (1998)
O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Appl. Phys. Lett. 75, 1905 (1999)
А.Б. Талочкин, А.В. Ефанов, В.А. Марков, А.И. Никифоров. Изв. РАН. Сер. физ. 63, 2, 290 (1999)
V.A. Markov, H.H. Cheng, Chin-ta-Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. McGlynn, M.O. Henry. Thin Solid Films 369, 79 (2000)
Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, В.А. Цветков, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров. ФТП 35, 3, 979 (2001)
J. Brunner, J.F. Nutzel, M. Gail, U. Menczigar, G. Abstreiter. J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1097 (1993)
Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Т.Н. Заварицкая, Н.Н. Мельник, А.О. Погосов, В.А. Цветков, Н.Н. Сибельдин. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 2, 163 (2003)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук