Методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследованы процессы формирования наноразмерных пленок силицидов при имплантации ионов В, Р, Ва и щелочных элементов в Si(111) и Si(100) и последующем термическом отжиге. Показано, что имплантация ионов с большой дозой D > 1016 cm-2 и кратковременный прогрев приводят к образованию тонких пленок силицидов с новыми поверхностными сверхструктурами: Si(111)-(sqrt(3)sqrtR30o-B, Si(100)-2x2Ba, Si(111)-1x1P и др.
Ivanenko L.I., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B. et al. // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 141--147
Соцкая Н.В., Долгих О.В., Кашкаров В.М. и др. // Сорбционные и хроматографические процессы. 2009. Т. 9. Вып. 5. С. 643--652
Рысбаев А.С., Ташатов А.К., Джураев Ш.Х., Хужаниязов Ж.Б. // Поверхость. 2011. N 12. С. 98--104
Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 270 с
Руми Д.С., Нигматов С.Ж., Атабаев Б.Г., Гарафутдинова И.А. // УФЖ. 2001. N 3--4. С. 203--209
Гарбер Р.И., Гнап А.К., Федоренко А.И. Исследование структуры ионно-легированного кремния. / В кн. "Физические основы ионно-лучевого легирования". Горький: Наука, 1972. С. 122
Headrick R.L., Robinson L.K., Vlieg E., Feldman L.C. // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 63. N 12. P. 1253
Ташатов А.К. Исследование свойств и состава ионно-имплантированных слоев кремния, арсенид галлия и сплава Pd-Ba, методами вторичной электронной спектроскопии / Автореф. канд. дис. Ташкент, 1990. 16 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук