Представлены результаты комплексных электрофизических и технологических исследований твердотельных автоэмиссионных диодов, полевая эмиссия в которых осуществляется из массива наноразмерных объектов, расположенных на гетерогранице полупроводник--поликристаллический алмазный слой. В технологический маршрут изготовления твердотельных автоэмиссионных диодов в качестве базовых технологий получения приборных гетероструктур интегрированы технологии формирования массивов наноразмерных масок, технология формирования массивов наноразмерных конусов и технология плазмостимулированного роста поликристаллических алмазных пленок на поверхностях структур с сформированными массивами из наноразмерных конусов. В сформированных указанным образом автоэмиссионных диодах достигнуты плотности токов ~20 A/cm2 при пороговом напряжении автоэмиссии из массивов наноострий в алмаз ~0.5 V.
Veda K., Kasu M., Yamauchi Y. et al. // Electron. Dev. Lett. 2006. Vol. 27. N 7. P. 570--572
Vikulov N., Kichaeva N. // Electronica: NTB. 2008. N 5. P. 70
Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // L. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20. P. 2080
De Jonge N., Bonard J.M. // Philos. Trans. Roy. Soc. Lond. A. 2004. Vol. 362. P. 2239
Ильичев Э.А., Инкин В.Н., Мигунов Д.М., Петрухин Г.Н., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Шкодин Д.В. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 4. С. 48--52
Dvorkin V.V., Dzbanovsky N.N., Suetin N.V., Poltoratsky E.A., Richkov G.S., Il'ichev E.A., Gavrilov S.A. // Diam. Relat. Mater. 2003. Vol. 12. P. 2208--2218
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук