Приводятся результаты исследования спектров возбуждения эрбиевой фотолюминесценции (lambda=1540 nm) в эпитаксиальных структурах Si : Er в широком диапазоне длин волн возбуждающего излучения (lambda=780-1500 nm). Сообщается о наблюдении эрбиевой фотолюминесценции при энергиях кванта излучения накачки, существенно меньших ширины запрещенной зоны кремния. Обсуждаются возможные механизмы возбуждения ионов эрбия в данной области энергий квантов излучения накачки. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 01-02-16439, 02-02-16773, 02-02-06695), INTAS (грант N 01-0468) и NWO (грант N 047-009-013).
B.A. Andreev, A.Yu. Andreev, H. Ellmer, H. Hutter, Z.F. Krasilnik, V.P. Kuznetsov, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, K. Piplits, R.A. Rubtsova, N.S. Sokolov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, E.A. Uskova. J. Cryst. Growth 201/202, 534 (1999)
Z.F. Krasilnik, V.Ya. Aleshkin, B.A. Andreev, O.B. Gusev, W. Jantsch, L.V. Krasilnikova, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, V.B. Shmagin, N.A. Sobolev, M.V. Stepikhova, A.N. Yablonsky. Towards the First Silicon Laser / Ed. L. Pavesi et al. Kluwer Academic Publ. (2003) P. 445--454
B.A. Andreev, W. Jantsch, Z.F. Krasil'nik, D.I. Kuritzyn, V.P. Kusnetsova, A.N. Yablonsky. Proc. of ICPS-26. Edinburg (2002)
F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Carnera. Phys. Rev. B 57, 8, 4443 (1998)
O.B. Gusev, M.S. Bresler, P.E. Pak, I.N. Yassievich, M. Forcales, N.Q. Vinh, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B 64, 075 302 (2001)
J. Wagner. Phys. Rev. B 29, 29 (1983)
В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, О.А. Кузнецов, Е.А. Ускова, С.А.J. Ammerlaan, G. Pensl. ФТП 36, 178 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук