Приведены результаты выращивания эпитаксиальных слоев кремния, легированных эрбием, с использованием двух разных режимов роста: обычной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и твердофазной эпитаксии (ТФЭ). Показано, что легированный эрбием слой кремния при его осаждении методом ТФЭ на холодную подложку и последующем отжиге проявляет более интенсивную фотолюминесценцию на длине волны 1.54 mum, чем слои, выращенные методом МЛЭ. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и Минпромнауки РФ (госконтракты N 40.020.1.1.1161 и 40.020.1.1.1159).
Н.А. Соболев. ФТП 29, 1153 (1995)
A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997)
Y.Ho Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys. 70, 1153 (1991)
H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackmann et al. Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
R. Serna, M. Lohmeier et al. Appl. Phys. Lett. 66, 1385 (1995)
V.G. Zavodiskii, A.V. Zotov. Phys. Stat. Sol. (a). 72, 391 (1982).
С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ 4, 141 (2000)
H. Przybylinska et al. Phys. Rev. B 54, 2532 (1996)
I.G. Kaverina, V.V. Korobtsov, V.G. Lifshits. Thin Sold Films 177, 101 (1984)
C.W. Nogee, J.C. Bean, C. Foti, J.M. Poate. Thin Sold Films 81, 1 (1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук