Обнаружен новый эффект влияния типа легирования подложки Si(100) с пленкой SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев AlN и GaN. Экспериментально показано, что механизм роста слоев AlN и GaN на поверхности эпитаксиального SiC, синтезированного методом замещения атомов на подложках Si n- и p-типа проводимости, принципиально различен. Обнаружено, что на поверхности SiC/Si(100) полуполярные слои AlN и GaN растут в эпитаксиальной структуре на подложке p-Si и в поликристаллической --- на n-Si. Предложен новый метод синтеза эпитаксиальных полуполярных слоев AlN и GaN методом хлоридно-гидридной эпитаксии на кремниевой подложке. В.Н. Бессолов, A.С. Гращенко, E.В. Koненкова, A.В. Oсипов, A.В. Редьков, С.A. Кукушкин благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
Y. Zhao, Q. Yan, D. Feezell, K. Fujito, Ch.G. Van de Walle, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Opt. Express 21, A53 (2013)
M.C. Schmidt, K.-Ch. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Jpn. J. Appl. Phys. 46, L190 (2007)
V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci. 38, 75 (2014)
V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Myasoedov, S.N. Rodin, A.V. Osipov, M.P. Shcheglov. Mater. Phys. Mech. 21, 71 (2014)
A. Dadgar. Phys. Status Solidi B, 252, 1063 (2015)
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов. Патент N 254046. Приоритет 09.08.2013 г.
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 313 001 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Н.К. Полетаев, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 38, 21 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.