Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура твердых растворов CuCl1-xBrx: расчеты из первых принципов с использованием приближения meta-GGA
Кособуцкий А.В.1,2, Гордиенко А.Б.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Email: kosobutsky@kemsu.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

В рамках теории функционала плотности выполнены расчеты электронной структуры соединений CuCl, CuBr и их твердых растворов CuCl1-xBrx (x=0.25, 0.50, 0.75). Вычисления проводились в базисе псевдоатомных орбиталей с использованием простого локального приближения (LDA), а также нового обменного meta-GGA потенциала TB09, который в значительной степени компенсирует ошибку LDA при описании положения зон проводимости полупроводников. Проведен сравнительный анализ основных характеристик электронной структуры бинарных соединений и их растворов. Установлено, что кривая композиционной зависимости ширины запрещенной зоны Eg(x) испытывает незначительный прогиб с коэффициентом b~0.09 eV. Работа выполнена при поддержке программы "Научный фонд им. Д.И. Менделеева Томского государственного университета" в 2015 г. (проект N 8.2.10.2015) и Министерства образования и науки РФ (проект N 3.1235.2014K).
  • M. Grundmann, F.-L. Schein, M. Lorenz, T. Bontgen, J. Lenzner, H. von Wenckstern. Phys. Status Solidi A 210, 1671 (2013)
  • D. Ahn, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett. 102, 121 114 (2013)
  • A.A. Eliseev, L.V. Yashina, N.I. Verbitskiy, M.M. Brzhezinskaya, M.V. Kharlamova, M.V. Chernysheva, A.V. Lukashin, N.A. Kiselev, A.S. Kumskov, B. Freitag, A.V. Generalov, A.S. Vinogradov, Y.V. Zubavichus, E. Kleimenov, M. Nachtegaal. Carbon 50, 4021 (2012)
  • F.O. Lucas, A. Mitra, P.J. McNally, S. Daniels, A.L. Bradley, D.M. Taylor, Y.Y. Proskuryakov, K. Durose, D.C. Cameron. J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 3461 (2007)
  • K.V. Rajani, S. Daniels, M. Rahman, A. Cowley, P.J. McNally. Mater. Lett. 111, 63 (2013)
  • M. Ferhat, B. Bouhafs, H. Aourag, A. Zaoui, M. Certier. Comp. Mater. Sci. 20, 267 (2001)
  • F. El Haj Hassan, A. Zaoui, W. Sekkal. Mater. Sci. Eng. B 87, 40 (2001)
  • B. Amrani, T. Benmessabih, M. Tahiri, I. Chiboub, S. Hiadsi, F. Hamdache. Physica B 381, 179 (2006)
  • B. Ghebouli, M.A. Ghebouli, M. Fatmi, T. Chihi, Z. Heiba, S. Boucetta. Chinese J. Phys. 51, 738 (2013)
  • F. El Haj Hassan, A. Zaoui. Superlattice Microstruct. 30, 75 (2001)
  • J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, J. Tao, V.N. Staroverov, G.E. Scuseria, G.I. Csonka. J. Chem. Phys. 123, 062 201 (2005)
  • Y. Zhao, D.G. Truhlar. J. Chem. Phys. 125, 194 101 (2006)
  • F. Tran, P. Blaha. Phys. Rev. Lett. 102, 226 401 (2009)
  • A.D. Becke, E.R. Johnson. J. Chem. Phys. 124, 221 101 (2006)
  • A.D. Becke, M.R. Roussel. Phys. Rev. A 39, 3761 (1989)
  • J.A. Camargo-Martinez, R. Baquero. Phys. Rev. B. 86, 195 106 (2012)
  • A.V. Kosobutsky, Yu.M. Basalaev. Solid State Commun. 199, 17 (2014)
  • C. Hartwigsen, S. Goedecker, J. Hutter. Phys. Rev. B 58, 3641 (1998)
  • A.B. Gordienko, A.S. Poplavnoi. Phys. Status Solidi B 202, 941 (1997)
  • Ю.М. Басалаев, А.Б. Гордиенко, С.И. Филиппов. ФТТ 54, 1655 (2012)
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samon, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Cond. Matter 21 395 502 (2009)
  • O. Madelung. Semiconductors: data handbook. 3rd ed. Springer, Berlin (2004). 691 p
  • H. Heireche, B. Bouhafs, H. Aourag, M. Ferhat, M. Certier. J. Phys. Chem. Solids 59, 997 (1998)
  • K. Endo, K. Yamamoto, K. Deguchi. J. Phys. Chem. Solids. 54, 357 (1993)
  • А.В. Генералов, А.С. Виноградов. ФТТ 55, 1052 (2013)
  • H. Ullah, A.H. Reshak, K. Inayat, R. Ali, G. Murtaza, S. Sheraz, S.A. Khan, H.U. Din, Z.A. Alahmed. J. Optoelectron. Adv. Mater. 16, 1493 (2014)
  • M. Cardona. Phys. Rev. 129, 69 (1963).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.